ON Semiconductor
IRFM120ATF
Power Mosfet, N-channel, A-fet, 100 V, 2.3 A, 0.2 Ω, SOT-223
Цена от 20,00 ₽ до 432,58 ₽
Наличие ON Semiconductor IRFM120ATF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 90000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 58,57 ₽ до 432,58 ₽
На складе 6670 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 20:01 04.02.2021
На складе 2806 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:25 04.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 90000 шт.
Обновлено 15:59 08.01.2021
Цена по запросу.
В наличии до 182952 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 20,00 ₽ до 75,92 ₽
На складе 12000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
На складе 214 шт.
Обновлено 10:02 04.02.2021
На складе 20000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 01:48 04.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 16:14 04.02.2021
На складе 4256 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 12000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 14:14 04.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
На складе 24000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 19:29 04.02.2021
На складе 2320 шт.
MOQ 32 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
На складе 2320 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:14 04.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 15497 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 04.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 333 шт.
Обновлено 11:12 04.02.2021
На складе 20000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:48 04.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 16000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
На складе 2780 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 04.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 692 шт.
Обновлено 14:24 26.01.2021
Цена по запросу.
На складе 214 шт.
MOQ 1623 шт.
Обновлено 03:53 04.02.2021
Цена по запросу.
На складе 24640 шт.
Обновлено 19:05 01.02.2021
Цена по запросу.
На складе 182952 шт.
Обновлено 19:03 29.01.2021
Цена по запросу.
В наличии до 4280 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 27,22 ₽ до 93,64 ₽
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 2780 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 04.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 4280 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.02.2021
Технические характеристики ON Semiconductor IRFM120ATF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-223
Текущий рейтинг:
2.30 A
Gate Charge:
22.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
2.30 A
Входная емкость:
480 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.40 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
200 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
14.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
- Power MOSFET, N-Channel, A-FET, 100 V, 2.3 A, 0.2 Ω, SOT-223
- Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
- Af 100V 200Mohm Sot223 Rohs Compliant: Yes
- СИЛОВЫЙ ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОГО ЭФФЕКТА, 2
- 3LD SURFACE MOUNT PLAS PWR PKG