ON Semiconductor
NDT3055
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 4A, 100mΩ
Цена от 29,63 ₽ до 172,39 ₽
Наличие ON Semiconductor NDT3055 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 37312 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 29,63 ₽ до 172,39 ₽
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
На складе 14311 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 10151 шт.
MOQ 29 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
На складе 2090 шт.
MOQ 1067 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 2090 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
На складе 10151 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 36000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 37312 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 3620 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 20000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:24 01.03.2021
На складе 2500 шт.
Обновлено 21:59 24.02.2021
На складе 2976 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
На складе 868 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
На складе 307 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
На складе 32013 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1110 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 24000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 31,77 ₽ до 95,54 ₽
На складе 23941 шт.
MOQ 140 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 10151 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:37 03.03.2021
На складе 3996 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
На складе 24000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Технические характеристики ON Semiconductor NDT3055, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-223
Текущий рейтинг:
3.70 A
Continuous Drain Current (Ids):
4.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
4
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
3.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
84.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
- N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 4A, 100mΩ
- Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
- These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.