ON Semiconductor
NTMD4N03R2G
NTMD4N03R2G Dual N-channel MOSFET Transistor; 4 A; 30 V; 8-Pin SOIC
Цена от 17,89 ₽ до 409,03 ₽
Наличие ON Semiconductor NTMD4N03R2G на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 99341 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 17,89 ₽ до 89,34 ₽
На складе 5000 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
На складе 6120 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 01:49 06.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 99341 шт.
Обновлено 10:00 06.03.2021
На складе 1031 шт.
MOQ 39 шт.
Обновлено 17:47 06.03.2021
На складе 1031 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 25000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 20:05 05.03.2021
На складе 26237 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 06.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2483 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 4 шт.
Обновлено 21:59 24.02.2021
На складе 85 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 66 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1022 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
На складе 140 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 17325 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 20000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 19,92 ₽ до 409,03 ₽
На складе 20000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 07:20 06.03.2021
На складе 1190 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 20:41 06.03.2021
На складе 2483 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 93 шт.
Обновлено 15:30 05.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 19600 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 22,51 ₽ до 138,73 ₽
На складе 682 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
На складе 1031 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:38 06.03.2021
На складе 2483 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 14450 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
На складе 19600 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor NTMD4N03R2G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
4.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
4.00 mA, 4.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
48.0 mΩ
Время нарастания:
14.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- NTMD4N03R2G Dual N-channel MOSFET Transistor
- 4 А
- 30 В
- 8-контактный SOIC
- N-Channel 30 V 48 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8
- Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
- Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8
- N Channel Mosfet, 30V, 4A, Soic, Full Reel
- Полярность транзистора: двойной канал N
- Идентификатор постоянного тока утечки: 4A
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- On Resistance Rds(On):0.048Ohm
- Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
- Threshold Voltage Vgs:1.9V Rohs Compliant: Yes