Наличие Intersil HIP2100IB на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 5 шт.
Обновлено 18:12 05.02.2021
На складе 3960 шт.
MOQ 157 шт.
Обновлено 02:47 06.02.2021
На складе 3960 шт.
Обновлено 10:08 07.02.2021
На складе 235 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:11 05.02.2021
На складе 750 шт.
Обновлено 11:23 06.02.2021
На складе 10 шт.
Обновлено 22:24 04.02.2021
Цена по запросу.
На складе 331 шт.
Обновлено 20:14 02.02.2021
Цена по запросу.
На складе 315 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 92 шт.
Обновлено 20:05 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 998 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Intersil HIP2100IB, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество выходов:
2
Рабочая Температура:
125 °C (max)
Выходное напряжение:
400 mV
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
8
Рассеяние мощности:
1.30 W (max)
Время нарастания:
10.0 ns (max)
RoHS:
Non-Compliant
Supply Voltage (DC):
14.0 V (max), 9.00 V (min)
- 100V/2A Peak High-Frequency Half Bridge Driver with CMOS Logic Inputs
- MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N
- IC DRIVER HALF-BRIDGE 9~14V 2A -40~85℃ SOIC8
Документы по Intersil HIP2100IB, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Intersil HIP2100IB, сравнение характеристик.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество выходов 2.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Выходное напряжение 400 mV.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 8.
Рассеяние мощности 1.30 W (max).
Время нарастания 20.0 ns (max).
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 14.0 V (max), 9.00 V (min).