Наличие Intersil HIP2101IB на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 880 шт.
MOQ 98 шт.
Обновлено 02:47 06.02.2021
На складе 880 шт.
Обновлено 10:08 07.02.2021
На складе 600 шт.
Обновлено 06:36 05.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Intersil HIP2101IB, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество выходов:
2
Рабочая Температура:
125 °C (max)
Выходное напряжение:
400 mV
Упаковка:
Bulk
Количество выводов:
8
Рассеяние мощности:
1.30 W (max)
Время нарастания:
20.0 ns (max)
RoHS:
Non-Compliant
Supply Voltage (DC):
14.0 V (max), 9.00 V (min)
- 100V/2A Peak High-Frequency Half Bridge Driver with TTL Logic Inputs
- MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N
- HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
- Микросхема драйвера MOSFET
- Тип устройства: полумост
- Количество выходов: 2
- Выходной ток: 2А
- Power Dissipation, Pd:1.3W
- Supply Voltage Min:9V
- Supply Voltage Max:14V
- Тип завершения: SMD
- Упаковка / ящик: 8-SOIC
- No. of Pins:8
- Соответствует RoHS: Нет
Документы по Intersil HIP2101IB, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Intersil HIP2101IB, сравнение характеристик.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество выходов 2.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Выходное напряжение 400 mV.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Рассеяние мощности 1.30 W (max).
Время нарастания 10.0 ns (max).
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 14.0 V (max), 9.00 V (min).