Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

ON Semiconductor
MJD200G

Transistor, Bipolar, Si, NPN, Power, VCEO 25VDC, IC 5A, PD 12.5W, DPAK, VCBO 40VDC

Цена от 12,13 ₽ до 74,04 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MJD200G на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 12
В наличии до 7457 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 12,13 ₽ до 74,04 ₽
США
На складе 778 шт.
Обновлено 19:02 04.03.2021
19,53 ₽ от 1 шт.
15,54 ₽ от 164 шт.
14,65 ₽ от 327 шт.
13,61 ₽ от 491 шт.
12,13 ₽ от 654 шт.
США
На складе 5122 шт.
MOQ 38 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
30,71 ₽ от 38 шт.
26,34 ₽ от 100 шт.
23,76 ₽ от 500 шт.
19,27 ₽ от 1000 шт.
18,96 ₽ от 2500 шт.
18,38 ₽ от 10000 шт.
18,13 ₽ от 25000 шт.
17,75 ₽ от 50000 шт.
США
На складе 5122 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
34,62 ₽ от 1 шт.
31,94 ₽ от 10 шт.
27,40 ₽ от 100 шт.
24,71 ₽ от 500 шт.
20,04 ₽ от 1000 шт.
19,72 ₽ от 2500 шт.
19,11 ₽ от 10000 шт.
18,86 ₽ от 25000 шт.
18,46 ₽ от 50000 шт.
США
На складе 1486 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube
69,62 ₽ от 1 шт.
56,14 ₽ от 10 шт.
56,14 ₽ от 50 шт.
39,56 ₽ от 100 шт.
26,41 ₽ от 1000 шт.
20,78 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 7457 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
23,55 ₽ от 1 шт.
23,08 ₽ от 25 шт.
22,61 ₽ от 100 шт.
22,14 ₽ от 500 шт.
21,66 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1050 шт.
MOQ 75 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
21,67 ₽ от 75 шт.
США
На складе 1981 шт.
MOQ 75 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
30,92 ₽ от 75 шт.
30,80 ₽ от 80 шт.
26,43 ₽ от 160 шт.
26,32 ₽ от 380 шт.
23,68 ₽ от 750 шт.
21,84 ₽ от 3800 шт.
21,72 ₽ от 7500 шт.
США
На складе 3442 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube
74,04 ₽ от 1 шт.
63,54 ₽ от 10 шт.
59,45 ₽ от 25 шт.
44,16 ₽ от 100 шт.
34,48 ₽ от 500 шт.
28,02 ₽ от 1000 шт.
25,05 ₽ от 2500 шт.
23,78 ₽ от 5000 шт.
22,43 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 7457 шт.
MOQ 1643 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
23,79 ₽ от 1643 шт.
23,61 ₽ от 1700 шт.
23,44 ₽ от 3300 шт.
23,26 ₽ от 8300 шт.
23,09 ₽ от 17000 шт.
22,91 ₽ от 83000 шт.
22,74 ₽ от 170000 шт.
США
На складе 2100 шт.
MOQ 750 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
33,21 ₽ от 750 шт.
30,90 ₽ от 2100 шт.
США
На складе 2194 шт.
Обновлено 21:58 04.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1559 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 2625 шт.
MOQ от 15 шт.
Цена от 23,62 ₽ до 64,93 ₽
Европейский союз
На складе 2625 шт.
MOQ 75 шт.
Обновлено 07:18 04.03.2021
28,68 ₽ от 75 шт.
27,00 ₽ от 150 шт.
25,31 ₽ от 300 шт.
24,47 ₽ от 450 шт.
23,62 ₽ от 600 шт.
Британия
На складе 45 шт.
MOQ 15 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
64,93 ₽ от 15 шт.
45,60 ₽ от 105 шт.
37,54 ₽ от 510 шт.
30,61 ₽ от 1005 шт.
25,94 ₽ от 2505 шт.
Швеция
На складе 126 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 5122 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 20,47 ₽ до 38,39 ₽
Китай
На складе 5122 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
38,39 ₽ от 1 шт.
35,42 ₽ от 10 шт.
29,00 ₽ от 100 шт.
26,03 ₽ от 500 шт.
21,98 ₽ от 1000 шт.
21,17 ₽ от 2500 шт.
21,20 ₽ от 10000 шт.
20,92 ₽ от 25000 шт.
20,47 ₽ от 50000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor MJD200G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
25.0 V
Текущий рейтинг:
5.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN, N-Channel
Рассеяние мощности:
1.40 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
25.0 V
  • Transistor, Bipolar,Si,NPN,Power,VCEO 25VDC,IC 5A,PD 12.5W,DPAK,VCBO 40VDC
  • 5 A, 25 V NPN Bipolar Power Transistor
  • MJD Series 25 V 5 A Tab Mount NPN Complementary Plastic Power TransistorTO-252-3
  • Trans GP BJT NPN 25V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
  • Transistors (NPN/PNP) NPN 5A 25V TO-252-2(DPAK) RoHS
  • TRANSISTOR, RF
  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V
  • Рассеиваемая мощность Pd: 1,4 Вт
  • DC Collector Current:5A
  • DC Current Gain hFE:65
  • Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: D-PAK
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (18 июня 2012 г.)
  • Gain Bandwidth ft Typ:65MHz
  • Package / Case:D-PAK
  • Рассеиваемая мощность Pd: 1,4 Вт

Документы по ON Semiconductor MJD200G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 03.08.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)