Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
LMV342IDR
Dual Rail-To-Rail Output CMOS Operational Amplifier with Shutdown 8-SOIC -40 to 125
Цена от 19,14 ₽ до 531,90 ₽
Наличие Texas Instruments LMV342IDR на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 490 шт.
Обновлено 18:33 24.02.2021
На складе 316 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:05 25.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2452 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:35 24.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 700 шт.
Обновлено 10:06 24.02.2021
На складе 1536 шт.
MOQ 23 шт.
Обновлено 17:46 24.02.2021
На складе 1536 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:08 24.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1004 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 24.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1045 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:02 24.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 15400 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 60 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 130 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 1045 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:32 24.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1591 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:41 24.02.2021
На складе 2566 шт.
MOQ 110 шт.
Обновлено 13:21 24.02.2021
На складе 1045 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 24.02.2021
Упаковка Cut Tape Технические характеристики Texas Instruments LMV342IDR, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
1.90 µV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Количество контуров:
2
Рабочая Температура:
125 °C (max)
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
8
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
1.00 V/μs
Supply Current:
170 µA (max)
- Dual Rail-To-Rail Output CMOS Operational Amplifier with Shutdown 8-SOIC -40 to 125
- Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R
- OP-AMP, DUAL, 1MHZ, 1V/US, SOIC-8
- No. of Amplifiers:2 Amplifier
- Полоса пропускания: 1 МГц
- Slew Rate:1V/µs
- Диапазон напряжения питания: от 2,5 В до 5,5 В
- Стиль корпуса усилителя: SOIC
- No. of Pins:8Pins
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Максимальная рабочая температура: 125 ° C
- Ассортимент продукции: -
- Стандарт автомобильной квалификации: -
- MSL: MSL 1 - без ограничений
- SVHC: Нет SVHC (15 января 2019 г.)
- No. of Amplifiers:2Amplifiers
Документы по Texas Instruments LMV342IDR, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments LMV342IDR, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс VSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Выходной ток 75.0 mA.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 170 µA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 170 µA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Выходной ток 75.0 mA.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Выходной ток 75.0 mA.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 150 µA.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 230 µA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Выходной ток 75.0 mA.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Current 170 µA (max).