Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Analog Devices
OP27GSZ
Операционный усилитель, одиночный, 8 МГц, 1, 2,8 В / с, от 4 В до 18 В, Soic, соответствие требованиям 8 RoHS: Да
Цена от 126,06 ₽ до 2 664,95 ₽
Наличие Analog Devices OP27GSZ на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики Analog Devices OP27GSZ, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
8.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
120 dB
Продукт увеличения пропускной способности:
8.00 MHz
Input Impedance:
2.00 GΩ
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mil-Spec:
No
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
1
Количество контуров:
1
Рабочая Температура:
85.0 °C (max)
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
8
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
2.80 V/μs
Supply Current:
5.70 mA
Supply Voltage (DC):
15.0 V
- Операционный усилитель, одиночный, 8 МГц, 1, 2,8 В / с, от 4 В до 18 В, Soic, соответствие требованиям 8 RoHS: Да
- Op Amp Single Low Noise Amplifier ¡À22V 8-Pin SOIC N Tube
- Прецизионный операционный усилитель OP27 сочетает в себе низкое смещение и дрейф OP07 с высокой скоростью и низким уровнем шума. Смещение до 25 мкВ и максимальный дрейф 0,6 мкВ / ° C делают OP27 идеальным для применения в точных измерительных приборах. Низкий уровень шума, en = 3,5 нВ / √Гц, при 10 Гц, низкая угловая частота шума 1 / f, равная 2,7 Гц, и высокое усиление (1,8 миллиона), обеспечивают точное усиление с высоким усилением сигналов низкого уровня. Произведение ширины полосы пропускания 8 МГц и скорости нарастания 2,8 В / мкс обеспечивает превосходную динамическую точность в высокоскоростных системах сбора данных. Низкий входной ток смещения ± 10 нА достигается за счет использования схемы компенсации тока смещения. В военном диапазоне температур эта схема обычно удерживает IB и IOS до ± 20 нА и 15 нА соответственно. Выходной каскад имеет хорошую управляемость под нагрузкой. Гарантированный размах ± 10 В на нагрузке 600 Ом и низкий уровень выходных искажений делают OP27 отличным выбором для профессиональных аудиоприложений. PSRR и CMRR превышают 120 дБ. Эти характеристики в сочетании с долгосрочным дрейфом 0,2 мкВ / месяц позволяют разработчикам схем достичь уровней производительности, ранее достигнутых только дискретными конструкциями. Низкая стоимость и большие объемы производства OP27 достигаются за счет использования встроенной в микросхемы стабилитроновой сети. Эта надежная и стабильная схема обрезки со смещением доказала свою эффективность на протяжении многих лет производственной истории. OP27 обеспечивает отличные характеристики при малошумном и высокоточном усилении сигналов низкого уровня. Приложения включают в себя стабильные интеграторы, прецизионные суммирующие усилители, прецизионные детекторы порогового напряжения, компараторы и профессиональные аудиосистемы, такие как магнитофонные головки и предусилители микрофонов.
Документы по Analog Devices OP27GSZ, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Analog Devices OP27GSZ, сравнение характеристик.
Пропускная способность 8.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 120 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 8.00 MHz.
Input Impedance 2.00 GΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.80 V/μs.
Supply Current 5.70 mA.
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 8.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 120 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 8.00 MHz.
Input Impedance 2.00 GΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.80 V/μs.
Supply Current 5.70 mA.
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 8.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 8.00 MHz.
Входной ток смещения 10.0 nA (max).
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 3.80 mA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 8.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 8.00 MHz.
Входной ток смещения 10.0 nA (max).
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Current 3.80 mA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 8.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP.
Продукт увеличения пропускной способности 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.50 V/μs.
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 8.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 8.00 MHz.
Входной ток смещения 10.0 nA (max).
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.30 V/μs.
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 8.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 8.00 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 20.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 8.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 8.00 MHz.
Входной ток смещения 100 pA (max).
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -85.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 20.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 8.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 8.00 MHz.
Input Offset Drift 400 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.90 V/μs.
Supply Voltage (DC) 15.0 V.