Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Diodes Inc.
BSS84W-7

Transistor - FET P-Channel -50V 200mW

Цена от 10,10 ₽ до 16,26 ₽

Наличие Diodes Inc. BSS84W-7 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 3
В наличии до 1588 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 10,10 ₽ до 16,26 ₽
США
На складе 1588 шт.
Обновлено 18:36 23.02.2021
16,26 ₽ от 1 шт.
12,93 ₽ от 334 шт.
12,19 ₽ от 667 шт.
11,33 ₽ от 1001 шт.
10,10 ₽ от 1334 шт.
США
На складе 24 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
16,17 ₽ от 1 шт.
США
На складе 1223 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Diodes Inc. BSS84W-7, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-323, SC-70
Текущий рейтинг:
-130 mA
Continuous Drain Current (Ids):
130 mA
Входная емкость:
45.0 pF
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
200 mW (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
6.00 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
50.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-50.0 V
  • Transistor - FET P-Channel -50V 200mW
  • MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3

Документы по Diodes Inc. BSS84W-7, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Diodes Inc. BSS84W-7, сравнение характеристик.