Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Diodes Inc.
ZVN3310A

N-channel Enhancement Mode Vertical Dmos Fet | Mosfet N-ch 100V 200MA TO92-3

Цена от 27,98 ₽ до 613,62 ₽
Datasheet

Наличие Diodes Inc. ZVN3310A на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 6640 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 56,93 ₽ до 613,62 ₽
Британия
На складе 220 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 02:25 12.02.2021
113,48 ₽ от 20 шт.
99,54 ₽ от 40 шт.
85,40 ₽ от 200 шт.
71,26 ₽ от 1000 шт.
56,93 ₽ от 2000 шт.
Британия
На складе 6640 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 02:25 12.02.2021
113,48 ₽ от 20 шт.
99,54 ₽ от 40 шт.
85,40 ₽ от 200 шт.
71,26 ₽ от 1000 шт.
56,93 ₽ от 2000 шт.
Британия
На складе 3475 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:23 12.02.2021
613,62 ₽ от 1 шт.
444,11 ₽ от 10 шт.
309,61 ₽ от 100 шт.
268,99 ₽ от 500 шт.
204,54 ₽ от 1000 шт.
200,34 ₽ от 5000 шт.
Германия
На складе 2210 шт.
Обновлено 09:10 10.02.2021
Цена по запросу.
Америка 14
В наличии до 20328 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 27,98 ₽ до 102,98 ₽
США
На складе 12000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 02:48 12.02.2021
33,05 ₽ от 4000 шт.
31,87 ₽ от 8000 шт.
30,91 ₽ от 16000 шт.
30,01 ₽ от 24000 шт.
28,88 ₽ от 32000 шт.
28,43 ₽ от 40000 шт.
27,98 ₽ от 400000 шт.
США
На складе 300 шт.
Обновлено 18:07 12.02.2021
45,35 ₽ от 1 шт.
36,08 ₽ от 64 шт.
34,02 ₽ от 127 шт.
31,61 ₽ от 190 шт.
28,17 ₽ от 253 шт.
США
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:40 12.02.2021
87,15 ₽ от 1 шт.
29,30 ₽ от 4000 шт.
США
На складе 164 шт.
Обновлено 11:13 12.02.2021
98,35 ₽ от 1 шт.
78,68 ₽ от 7 шт.
49,17 ₽ от 30 шт.
29,50 ₽ от 142 шт.
Канада
На складе 1271 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:50 13.02.2021
Упаковка Bulk
39,87 ₽ от 1 шт.
35,32 ₽ от 150 шт.
34,18 ₽ от 500 шт.
33,04 ₽ от 2000 шт.
31,90 ₽ от 7500 шт.
США
На складе 6099 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:44 12.02.2021
Упаковка Tape & Reel
91,23 ₽ от 1 шт.
75,54 ₽ от 10 шт.
75,54 ₽ от 50 шт.
52,85 ₽ от 100 шт.
39,05 ₽ от 1000 шт.
34,82 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 2675 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:10 12.02.2021
Упаковка Bulk
100,13 ₽ от 1 шт.
87,11 ₽ от 10 шт.
83,04 ₽ от 25 шт.
60,28 ₽ от 100 шт.
50,36 ₽ от 500 шт.
42,86 ₽ от 1000 шт.
38,17 ₽ от 2500 шт.
36,17 ₽ от 5000 шт.
35,31 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 686 шт.
MOQ 385 шт.
Обновлено 18:40 12.02.2021
42,97 ₽ от 385 шт.
40,12 ₽ от 686 шт.
США
На складе 3475 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:56 13.02.2021
102,98 ₽ от 1 шт.
87,36 ₽ от 10 шт.
58,66 ₽ от 100 шт.
53,46 ₽ от 500 шт.
48,25 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 259 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 316 шт.
Обновлено 13:36 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 13990 шт.
Обновлено 15:48 11.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 62 шт.
Обновлено 18:41 12.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 20328 шт.
Обновлено 18:56 12.02.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 42445 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 45,99 ₽ до 120,53 ₽
Сингапур
На складе 3475 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:50 12.02.2021
120,53 ₽ от 1 шт.
99,32 ₽ от 10 шт.
69,81 ₽ от 100 шт.
60,55 ₽ от 500 шт.
51,59 ₽ от 1000 шт.
48,40 ₽ от 2000 шт.
45,99 ₽ от 4000 шт.
Китай
На складе 42445 шт.
MOQ 95 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
70,88 ₽ от 95 шт.
58,47 ₽ от 220 шт.
56,68 ₽ от 340 шт.
54,89 ₽ от 470 шт.
53,10 ₽ от 605 шт.
47,85 ₽ от 805 шт.

Технические характеристики Diodes Inc. ZVN3310A, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-92
Текущий рейтинг:
200 mA
Continuous Drain Current (Ids):
200 mA
Входная емкость:
40.0 pF
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
625 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
10.0 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
7.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
  • N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
  • Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line
  • N CHANNEL MOSFET, 100V, 200mA TO-92
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:200mA
  • Напряжение истока стока, Vds: 100V
  • Сопротивление, Rds (вкл.): 10 Ом
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2.4V
  • Соответствует RoHS: Да
  • MOSFET, N, E-LINE
  • Полярность транзистора: N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:10ohm
  • Power Dissipation:0.625W
  • Тип корпуса транзистора: E-Line
  • Количество контактов: 3
  • Case Style:E-Line
  • Cont Current Id:0.2A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Device Marking:ZVN3310A
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Расстояние между выводами: 1,27 мм
  • Max Power Dissipation Ptot:0.625W
  • Количество транзисторов: 1
  • Power Dissipation Pd:0.625W
  • Pulse Current Idm:2A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Типовое напряжение Vds: 100 В
  • Typ Voltage Vgs th:2.4V
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по Diodes Inc. ZVN3310A, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(3 страницы, 08.06.2009)
Заявление Rohs
(127 страниц, 02.05.2013)