Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Diodes Inc.
ZXM62N02E6TA

N-Channel 20 V 0.1 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23-6

Цена от 28,92 ₽ до 61,97 ₽
Datasheet

Наличие Diodes Inc. ZXM62N02E6TA на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Quest
На складе 253 шт.
Обновлено 11:23 30.12.2020
61,97 ₽ от 1 шт.
51,65 ₽ от 10 шт.
41,32 ₽ от 45 шт.
28,92 ₽ от 168 шт.
SPEC
На складе 5208 шт.
Обновлено 23:30 21.12.2020
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 1001 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.

Технические характеристики Diodes Inc. ZXM62N02E6TA, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23-6
Текущий рейтинг:
3.20 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.20 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.10 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
125 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
5.60 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
  • N-Channel 20 V 0.1 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23-6
  • Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
  • N-CH MOS-FET 3,2A 20V SOT23-6 RoHSconf

Документы по Diodes Inc. ZXM62N02E6TA, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 01.06.2009)
Заявление Rohs
(127 страниц, 02.05.2013)