Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Diodes Inc.
ZXMD63N02XTA

ZXMD63N02X Series 20 V 0.13 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8

Цена от 37,31 ₽ до 271,20 ₽
Datasheet

Наличие Diodes Inc. ZXMD63N02XTA на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 4
В наличии до 10226 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 37,31 ₽ до 271,20 ₽
Китай
На складе 3806 шт.
MOQ 120 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
55,26 ₽ от 120 шт.
45,58 ₽ от 280 шт.
44,18 ₽ от 435 шт.
42,78 ₽ от 600 шт.
41,38 ₽ от 770 шт.
37,31 ₽ от 1025 шт.
Китай
На складе 836 шт.
Обновлено 16:13 06.02.2021
271,20 ₽ от 1 шт.
Малайзия
На складе 197 шт.
Обновлено 03:33 08.02.2021
Цена по запросу.
Китай
На складе 10226 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Америка 3
В наличии до 27727 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена 115,15 ₽
США
На складе 200 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
115,15 ₽ от 1 шт.
США
На складе 27727 шт.
Обновлено 16:33 08.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 216 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Diodes Inc. ZXMD63N02XTA, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
MSOP
Текущий рейтинг:
2.40 A
Gate Charge:
6.00 nC
Continuous Drain Current (Ids):
2.40 A
Входная емкость:
350 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.04 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
150 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
8.10 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
  • ZXMD63N02X Series 20 V 0.13 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8
  • Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 8-Pin MSOP T/R Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 8-Pin MSOP T/R Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 8-Pin MSOP T/R Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 8-Pin MSOP T/R
  • MOSFET N-Channel 20V 2.4A MSOP8

Документы по Diodes Inc. ZXMD63N02XTA, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 01.06.2009)
Заявление Rohs
(127 страниц, 02.05.2013)

Товары похожие на Diodes Inc. ZXMD63N02XTA, сравнение характеристик.

Diodes Inc. ZXMD63N02XTC
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Текущий рейтинг 2.40 A.
Gate Charge 6.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 2.40 A.
Входная емкость 350 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.04 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 150 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.10 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.