Diodes Inc.
ZXMHC3A01T8TA
Trans Mosfet N/p-ch 30V 3.1A/2.3A 8-PIN SM8 T/r
Цена от 78,03 ₽ до 228,14 ₽
Наличие Diodes Inc. ZXMHC3A01T8TA на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 80000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 78,03 ₽ до 198,45 ₽
На складе 80000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
На складе 1063 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 11000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 14:11 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 822 шт.
Обновлено 11:18 15.02.2021
На складе 698 шт.
MOQ 9 шт.
Обновлено 17:52 15.02.2021
На складе 698 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:17 15.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 11770 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:11 15.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 22:21 15.02.2021
На складе 1540 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2032 шт.
Обновлено 18:56 12.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 1000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 90,45 ₽ до 228,14 ₽
На складе 1000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
На складе 690 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 690 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
В наличии до 968 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 108,32 ₽ до 202,04 ₽
На складе 698 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 968 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:33 15.02.2021
Технические характеристики Diodes Inc. ZXMHC3A01T8TA, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SM
Текущий рейтинг:
3.10 A
Gate Charge:
5.20 nC
Continuous Drain Current (Ids):
2.30 A
Входная емкость:
204 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
1.30 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
2.30 ns (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.1A/2.3A 8-Pin SM8 T/R
- MOSFET, COMP, H/BRIDE, 30V, SOIC8
- 30V Enhancement MOSFET H-Bridge SM8
- MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SM-8 T&R 1K
- MOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel
- MOSFET, COMP, H/BRIDE, 30V, SO8
- Полярность транзистора: канал N и P
- Идентификатор постоянного тока утечки: 3,1 А
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on):0.12ohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Power Dissipation Pd:1.3W
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Тип корпуса транзистора: SOIC
- Количество контактов: 8
- Continuous Drain Current Id, N Channel:3.1A
- Continuous Drain Current Id, P Channel:-2.3A
- Напряжение истока стока Vds, канал N: 30 В
- Drain Source Voltage Vds, P Channel:-30V
- Конфигурация модуля: полумост
- On Resistance Rds(on), N Channel:0.12ohm
- On Resistance Rds(on), P Channel:0.21ohm