Diodes Inc.
ZXMN2A01FTA
ZXMN2A01 Series 20 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Цена от 7,05 ₽ до 319,83 ₽
Наличие Diodes Inc. ZXMN2A01FTA на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 13820 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 13,77 ₽ до 319,83 ₽
На складе 13820 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
На складе 5150 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 3966 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 9335 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 627000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 7,05 ₽ до 56,65 ₽
На складе 190 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 1307 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 276000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 1586 шт.
MOQ 72 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 1586 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2761 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 276000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 627000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 595 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:44 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 190 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 2237 шт.
Обновлено 15:43 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3000 шт.
Обновлено 23:05 18.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3000 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 462 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 8316 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 20000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 10,35 ₽ до 63,31 ₽
На складе 20000 шт.
MOQ 425 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 1586 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 3086 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) Технические характеристики Diodes Inc. ZXMN2A01FTA, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
2.09 A
Continuous Drain Current (Ids):
2.20 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
625 mW (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
225 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
5.21 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
- ZXMN2A01 Series 20 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
- Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
- N CHANNEL MOSFET, 20V, 2.2A, SOT-23
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:2.2A
- Напряжение истока стока, Vds: 20V
- On Resistance, Rds(on):0.12ohm
- Rds (on) Испытательное напряжение, Vgs: 4,5 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ:700mV
- Соответствует RoHS: Да
- MOSFET, N, SOT-23
- Transistor Polarity:N Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 2,2 А
- Напряжение источника стока Vds: 20 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 120 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
- Threshold Voltage Vgs Typ:700mV
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Transistor Case Style:SOT-23
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:2.2A
- Текущая температура: 25 ° C
- Температура перехода Tj Макс .: 150 ° C
- Junction Temperature Tj Min:-55°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max:120mohm
- Упаковка / ящик: SOT-23
- Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
- Power Dissipation Pd:806mW
- Power Dissipation Ptot Max:625mW
- Импульсный ток Idm: 8A
- SMD Marking:7N2
- Тип завершения: SMD
- Напряжение Vds Typ: 20 В
- Максимальное напряжение Vgs: 12 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 4,5 В
- Voltage Vgs th Min:700mV