Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Diodes Inc.
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3

Цена от 12,89 ₽ до 81,82 ₽
Datasheet

Наличие Diodes Inc. ZXMN3A01FTA на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 6
В наличии до 33175 шт.
MOQ от 3 шт.
Цена от 16,27 ₽ до 59,16 ₽
Европейский союз
На складе 15000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:06 24.01.2021
28,64 ₽ от 3000 шт.
25,43 ₽ от 6000 шт.
23,83 ₽ от 12000 шт.
22,91 ₽ от 18000 шт.
19,02 ₽ от 24000 шт.
17,53 ₽ от 30000 шт.
16,27 ₽ от 300000 шт.
Польша
На складе 2921 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 10:00 24.01.2021
33,85 ₽ от 3 шт.
26,65 ₽ от 25 шт.
24,68 ₽ от 100 шт.
21,15 ₽ от 500 шт.
17,77 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 33175 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 16:12 24.01.2021
59,16 ₽ от 25 шт.
48,51 ₽ от 150 шт.
41,09 ₽ от 750 шт.
33,48 ₽ от 1500 шт.
Британия
На складе 400 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 16:12 24.01.2021
59,16 ₽ от 25 шт.
48,51 ₽ от 150 шт.
41,09 ₽ от 750 шт.
33,48 ₽ от 1500 шт.
Германия
На складе 1827 шт.
Обновлено 19:59 23.01.2021
Цена по запросу.
Швеция
На складе 2570 шт.
Обновлено 07:58 20.01.2021
Цена по запросу.
Америка 11
В наличии до 232854 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 12,89 ₽ до 81,82 ₽
Канада
На складе 51000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:59 25.01.2021
Упаковка Tape & Reel
15,77 ₽ от 3000 шт.
15,08 ₽ от 6000 шт.
14,27 ₽ от 12000 шт.
13,58 ₽ от 15000 шт.
12,89 ₽ от 45000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:11 24.01.2021
15,90 ₽ от 3000 шт.
15,07 ₽ от 6000 шт.
14,13 ₽ от 15000 шт.
13,63 ₽ от 30000 шт.
13,54 ₽ от 75000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 24.01.2021
14,71 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 231000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:18 24.01.2021
Упаковка Tape & Reel
17,57 ₽ от 3000 шт.
16,68 ₽ от 6000 шт.
15,49 ₽ от 9000 шт.
15,17 ₽ от 30000 шт.
США
На складе 26944 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:14 22.01.2021
Упаковка Tape & Reel
48,33 ₽ от 1 шт.
39,34 ₽ от 10 шт.
39,34 ₽ от 50 шт.
27,76 ₽ от 100 шт.
18,55 ₽ от 1000 шт.
16,07 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 232854 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 24.01.2021
Упаковка Cut Tape
51,70 ₽ от 1 шт.
44,51 ₽ от 10 шт.
41,72 ₽ от 25 шт.
30,98 ₽ от 100 шт.
24,19 ₽ от 500 шт.
19,66 ₽ от 1000 шт.
Канада
На складе 59260 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:59 25.01.2021
Упаковка Cut Tape
49,49 ₽ от 1 шт.
31,08 ₽ от 50 шт.
28,77 ₽ от 100 шт.
24,17 ₽ от 500 шт.
21,06 ₽ от 1500 шт.
США
На складе 12000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 18:08 22.01.2021
23,57 ₽ от 3000 шт.
21,93 ₽ от 12000 шт.
США
На складе 376 шт.
Обновлено 11:28 23.01.2021
81,82 ₽ от 1 шт.
65,46 ₽ от 8 шт.
40,91 ₽ от 37 шт.
24,55 ₽ от 172 шт.
США
На складе 2732 шт.
Обновлено 14:11 20.01.2021
Цена по запросу.
США
На складе 362 шт.
Обновлено 00:31 23.01.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 102000 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 16,93 ₽ до 24,43 ₽
Китай
На складе 15457 шт.
MOQ 265 шт.
Обновлено 04:28 25.01.2021
24,43 ₽ от 265 шт.
20,68 ₽ от 625 шт.
20,03 ₽ от 970 шт.
19,39 ₽ от 1335 шт.
18,74 ₽ от 1725 шт.
16,93 ₽ от 2295 шт.
Китай
На складе 102000 шт.
Обновлено 04:12 25.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Diodes Inc. ZXMN3A01FTA, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
1.80 A
Continuous Drain Current (Ids):
1.80 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
625 mW (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
180 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
2.30 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
  • Trans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
  • MOSFET, N SOT-23 REEL 3K
  • Полярность транзистора: N
  • Max Current Id:2A
  • Max Voltage Vds:30V
  • On State Resistance:0.12ohm
  • Напряжение измерения Rds: 10 В
  • Max Voltage Vgs:20V
  • Power Dissipation:806mW
  • Operating Temperature Range:-55ºC to +150ºC
  • Transistor Case Style:SOT-23
  • Количество контактов: 3
  • Стиль корпуса: СОТ-23
  • Cont Current Id:2A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Максимальная температура перехода Tj: 150 ° C
  • Max On State Resistance:0.12ohm
  • Max Power Dissipation Ptot:625mW
  • Min Junction Temperature, Tj:-55°C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Количество транзисторов: 1
  • Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
  • Импульсный ток Idm: 8A
  • Количество вьюрков: 3000
  • SMD Marking:7N3
  • Ширина ленты: 8 мм
  • Тип завершения: SMD
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Типовое напряжение Vds: 30 В
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по Diodes Inc. ZXMN3A01FTA, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 01.12.2006)
Заявление Rohs
(127 страниц, 02.05.2013)