Diodes Inc.
ZXMN3B01FTA
N-Channel 30 V 0.15 Ohm Power MOSFET Surface Mount - SOT-23-3
Цена от 15,76 ₽ до 57,95 ₽
Наличие Diodes Inc. ZXMN3B01FTA на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:08 24.12.2020
Упаковка Tape & Reel На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 24.12.2020
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 24.12.2020
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:41 25.12.2020
Упаковка Tape & Reel На складе 168000 шт.
MOQ 44 шт.
Обновлено 17:48 24.12.2020
На складе 168000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 24.12.2020
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:10 24.12.2020
На складе 4926 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:11 23.12.2020
Упаковка Tape & Reel На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 02:20 12.12.2020
На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:10 24.12.2020
На складе 21000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 24.12.2020
На складе 6603 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 24.12.2020
Упаковка Cut Tape На складе 21000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:10 24.12.2020
На складе 819 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 17:48 24.12.2020
На складе 819 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 24.12.2020
Упаковка Cut Tape На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:41 25.12.2020
Упаковка Cut Tape На складе 71 шт.
Обновлено 11:28 25.12.2020
На складе 10484 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:54 23.12.2020
На складе 2310 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
На складе 21000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:11 24.12.2020
На складе 9000 шт.
MOQ 9000 шт.
Обновлено 10:32 21.12.2020
Цена по запросу.
Технические характеристики Diodes Inc. ZXMN3B01FTA, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
2.00 A
Gate Charge:
2.93 nC
Continuous Drain Current (Ids):
2.00 A
Входная емкость:
258 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
625 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
240 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
3.98 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- N-Channel 30 V 0.15 Ohm Power MOSFET Surface Mount - SOT-23-3
- Trans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
- MOSFET,N CH,30V,2A,SOT23-3
- Transistor Polarity:N Channel
- Id постоянного тока стока: 2A
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 150 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
- Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Transistor Case Style:SOT-23
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Максимальный ток Id: 2A
- Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
- Максимальное напряжение Vgs: 12 В