Diodes Inc.
ZXMN4A06GTA
Single N-Channel 40 V 3.9 W 18.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
Цена от 16,54 ₽ до 607,34 ₽
Наличие Diodes Inc. ZXMN4A06GTA на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 8455 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 62,81 ₽ до 607,34 ₽
На складе 980 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 1000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 05:46 03.03.2021
На складе 135 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 8455 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 850 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:59 03.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) В наличии до 147513 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 17,19 ₽ до 112,79 ₽
На складе 267 шт.
Обновлено 18:20 03.03.2021
На складе 7081 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 71000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 1000 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
На складе 1000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 215 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
На складе 71370 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 950 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 147513 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:24 01.03.2021
На складе 180 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:42 03.03.2021
Упаковка Bulk На складе 805 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
На складе 17317 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 21720 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 16,54 ₽ до 95,49 ₽
На складе 21720 шт.
MOQ 265 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 1000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:37 03.03.2021
Технические характеристики Diodes Inc. ZXMN4A06GTA, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
40.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-223
Текущий рейтинг:
6.70 A
Continuous Drain Current (Ids):
7.00 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
4
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
75.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
4.45 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
- Single N-Channel 40 V 3.9 W 18.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
- Trans MOSFET N-CH 40V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
- N Channel Mosfet, 40V, 7A, Sot-223
- Полярность транзистора: n канал
- Напряжение источника стока Vds: 40 В
- Идентификатор постоянного тока утечки: 7A
- На сопротивлении Rds (на): 0,05 Ом
- Transistor Mounting:surface Mount
- Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes