Fairchild Semiconductor
HGTP7N60A4D
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Наличие Fairchild Semiconductor HGTP7N60A4D на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 89 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
На складе 104 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Fairchild Semiconductor HGTP7N60A4D, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
34.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Rail
Рассеяние мощности:
125 W
Время нарастания:
11.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
- 600V,SMPS Series N-Channel IGBT wirth Parallel Hyperfast Diode
- IGBT
- Тип транзистора: IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Collector Current, Ic:34A
- Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.9V
- Power Dissipation, Pd:125W
- Package/Case:3-TO-220
- C-E Breakdown Voltage:600V
- Соответствует RoHS: Да
- IGBT, N, TO-220
- Transistor Type:
- DC Collector Current:34A
- Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
- Рассеиваемая мощность Pd: 125 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
- Тип корпуса транзистора: TO-220AB
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (15 декабря 2010 г.)
- Alternate Case Style:TO-263
- Current Ic Continuous a Max:34A
- Текущая температура: 25 ° C
- Fall Time Typ:45ns
- Fall Time tf:45ns
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case:TO-220AB
- Power Dissipation Max:125W
- Рассеиваемая мощность Pd: 125 Вт
- Pulsed Current Icm:56A
- Время нарастания: 11 нс
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V