Наличие Honeywell SDP8405-002 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 190 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 12:23 17.02.2021
Упаковка Bulk На складе 190 шт.
MOQ 24 шт.
Обновлено 17:51 18.02.2021
Технические характеристики Honeywell SDP8405-002, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
5.00 V
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
85.0 °C (max)
Выходной ток:
14.0 mA (max)
Упаковка:
Bulk
Количество выводов:
2
Полярность:
NPN, N-Channel
Потребляемая мощность:
70.0 mW
Рассеяние мощности:
70.0 mW
Время нарастания:
15.0 µs
RoHS:
Compliant
Угол обзора:
20 °
Номинальное напряжение (постоянный ток):
5.00 V
- No Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
- TRANSISTOR, PHOTO, NPN, T-1
- Транзистор
- TRANSISTOR, PHOTO, NPN, T-1
- Полярность транзистора: NPN
- Power Consumption:70mW
- Угол обзора: 20 °
- Количество контактов: 2
- C-E Breakdown Voltage:5V
- Темновой ток: 100 нА
- Fall Time tf:15µs
- Совместимость с ведущим процессом: Да
- Light Current:14mA
- SDP Series Silicon Phototransistor, T-1 Clear Plastic Package The SDP8405 is an NPN silicon phototransistor transfer molded in a T-1 clear plastic package. Transfer molding of this device assures superior optical centerline performance compared to other molding processes. Lead lengths are staggered to provide a simple method of polarity identification.
