Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

Infineon
BFR93AE6327HTSA1

Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Цена от 6,39 ₽ до 335,54 ₽

Наличие Infineon BFR93AE6327HTSA1 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена

Технические характеристики Infineon BFR93AE6327HTSA1, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Текущий рейтинг:
90.0 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tape
Полярность:
NPN
Рассеяние мощности:
300 mW (max)
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
12.0 V
  • Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
  • BFR93A Series 12 V 90 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - PG-SOT-23-3
  • RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 6GHZ, SOT-23
  • NPN Silicon RF Transistor, SOT23, RoHS
  • Rf Trans, Npn, 12V, 0.09A, 150Deg C/0.3W
  • Transistor Polarity:npn
  • Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:12V
  • Transition Frequency Ft:6Ghz
  • Power Dissipation Pd:300Mw
  • Dc Collector Current:90Ma
  • Rf Transistor Case:sot-23 Rohs Compliant: Yes
  • NPN Silicon RF Transistor | Summary of Features: For low-noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA
  • Pb-free (RoHS compliant) package | Target Applications: Wireless Communications
  • LNA in RF Front-end
  • For various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

Документы по Infineon BFR93AE6327HTSA1, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon BFR93AE6327HTSA1, сравнение характеристик.