Компоненты  »  Интегральные схемы (ИС)  »  ИС управления питанием

Infineon
FP35R12W2T4BOMA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Цена от 3 840,32 ₽ до 27 255,36 ₽

Наличие Infineon FP35R12W2T4BOMA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 13
В наличии до 739 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 3 840,32 ₽ до 6 735,98 ₽
США
На складе 300 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:14 04.02.2021
5 400,98 ₽ от 1 шт.
5 102,17 ₽ от 5 шт.
4 805,76 ₽ от 10 шт.
4 358,15 ₽ от 25 шт.
4 162,93 ₽ от 50 шт.
3 840,32 ₽ от 100 шт.
США
На складе 300 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
4 856,21 ₽ от 1 шт.
4 665,69 ₽ от 2 шт.
4 504,65 ₽ от 3 шт.
4 367,31 ₽ от 5 шт.
4 249,25 ₽ от 10 шт.
4 147,10 ₽ от 20 шт.
4 058,19 ₽ от 50 шт.
3 980,45 ₽ от 100 шт.
3 912,16 ₽ от 250 шт.
США
На складе 388 шт.
Обновлено 10:02 04.02.2021
4 279,84 ₽ от 1 шт.
4 194,24 ₽ от 25 шт.
4 108,65 ₽ от 100 шт.
4 023,05 ₽ от 500 шт.
3 937,46 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 12 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.02.2021
Упаковка Tray
5 293,93 ₽ от 1 шт.
4 805,55 ₽ от 10 шт.
4 447,49 ₽ от 50 шт.
4 259,39 ₽ от 100 шт.
4 259,39 ₽ от 1000 шт.
4 259,39 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 15 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 04.02.2021
Упаковка Bulk
6 019,12 ₽ от 1 шт.
5 363,73 ₽ от 10 шт.
5 044,28 ₽ от 25 шт.
4 708,01 ₽ от 100 шт.
4 432,87 ₽ от 500 шт.
США
На складе 15 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 04.02.2021
5 807,36 ₽ от 1 шт.
5 491,54 ₽ от 5 шт.
5 174,54 ₽ от 10 шт.
4 866,97 ₽ от 25 шт.
4 704,34 ₽ от 50 шт.
4 541,72 ₽ от 100 шт.
США
На складе 18 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
5 331,04 ₽ от 1 шт.
5 172,12 ₽ от 5 шт.
5 099,88 ₽ от 10 шт.
США
На складе 11 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 19:29 04.02.2021
6 735,98 ₽ от 4 шт.
6 268,14 ₽ от 12 шт.
США
На складе 3 шт.
С завода 29 шт.
Обновлено 11:54 08.01.2021
Цена по запросу.
США
На складе 500 шт.
Обновлено 17:26 01.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 693 шт.
Обновлено 14:24 26.01.2021
Цена по запросу.
США
На складе 20 шт.
Обновлено 15:44 08.01.2021
Цена по запросу.
США
На складе 739 шт.
Обновлено 19:05 01.02.2021
Цена по запросу.
Европа 6
В наличии до 339 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 4 319,21 ₽ до 27 255,36 ₽
Европейский союз
На складе 14 шт.
MOQ 15 шт.
Обновлено 07:27 04.02.2021
5 386,93 ₽ от 15 шт.
5 154,11 ₽ от 30 шт.
4 826,29 ₽ от 60 шт.
4 820,12 ₽ от 90 шт.
4 492,90 ₽ от 120 шт.
4 486,51 ₽ от 150 шт.
4 319,21 ₽ от 1500 шт.
Германия
На складе 4 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 08:15 04.02.2021
6 622,99 ₽ от 1 шт.
5 417,14 ₽ от 3 шт.
4 814,92 ₽ от 10 шт.
4 635,39 ₽ от 20 шт.
Германия
На складе 339 шт.
MOQ 15 шт.
Обновлено 05:54 04.02.2021
5 680,08 ₽ от 15 шт.
5 330,91 ₽ от 30 шт.
5 243,26 ₽ от 45 шт.
5 155,62 ₽ от 75 шт.
Британия
На складе 72 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 20:01 04.02.2021
13 688,20 ₽ от 1 шт.
Британия
На складе 17 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:25 04.02.2021
27 255,36 ₽ от 1 шт.
25 806,35 ₽ от 5 шт.
24 357,35 ₽ от 10 шт.
22 251,00 ₽ от 50 шт.
Германия
На складе 7 шт.
Обновлено 09:51 04.02.2021
Цена по запросу.
Азия 5
В наличии до 348 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 4 757,60 ₽ до 7 209,66 ₽
Китай
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
5 242,07 ₽ от 1 шт.
5 074,52 ₽ от 5 шт.
4 896,58 ₽ от 10 шт.
4 757,60 ₽ от 25 шт.
Япония
На складе 18 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:32 04.02.2021
Упаковка Tray
4 985,42 ₽ от 1 шт.
4 841,21 ₽ от 5 шт.
4 779,41 ₽ от 10 шт.
Сингапур
На складе 15 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 04.02.2021
7 209,66 ₽ от 1 шт.
6 726,80 ₽ от 10 шт.
6 444,89 ₽ от 25 шт.
5 639,16 ₽ от 100 шт.
4 995,35 ₽ от 500 шт.
4 833,42 ₽ от 2500 шт.
Китай
На складе 300 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:01 02.02.2021
7 112,11 ₽ от 1 шт.
6 018,04 ₽ от 3 шт.
5 835,61 ₽ от 4 шт.
5 653,31 ₽ от 5 шт.
5 470,87 ₽ от 6 шт.
4 923,84 ₽ от 8 шт.
Израиль
На складе 348 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon FP35R12W2T4BOMA1, атрибуты и параметры.

Mounting Style:
Screw
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 150 °C
Количество выводов:
23
Полярность:
N-Channel
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
  • IGBT, LOW POWER, 1200V, 35A, EASYPIM
  • Transistor Polarity:N Channel
  • DC Collector Current:35A
  • Collector Emitter Voltage Vces:1.85V
  • Power Dissipation Pd:215W
  • Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ
  • Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: Модуль
  • No. of Pins:23
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Power Dissipation Max:215W
  • EasyPIM 2B 1200V PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC. | Summary of Features: Low Switching Losses
  • Trench IGBT 3
  • V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
  • Low V(CEsat)
  • Al(2)O(3) Substrate with Low Thermal Resistance
  • Compact Design
  • Solder Contact Technology
  • Rugged mounting due to integrated mounting clamps | Benefits: Compact module concept
  • Optimized customers development cycle time and cost
  • Configuration flexibility | Target Applications: drives
  • aircon

Документы по Infineon FP35R12W2T4BOMA1, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon FP35R12W2T4BOMA1, сравнение характеристик.