Компоненты  »  Интегральные схемы (ИС)  »  ИС управления питанием

Infineon
FP50R12KT4B11BOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray

Цена от 8 773,63 ₽ до 30 538,70 ₽

Наличие Infineon FP50R12KT4B11BOSA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 1
В наличии до 26 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена 30 538,70 ₽
Британия
На складе 26 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 00:37 25.12.2020
30 538,70 ₽ от 1 шт.
Америка 7
В наличии до 592 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 8 773,63 ₽ до 11 663,49 ₽
США
На складе 8 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 24.12.2020
Упаковка Bulk
11 333,03 ₽ от 1 шт.
10 345,61 ₽ от 10 шт.
9 870,35 ₽ от 25 шт.
9 358,53 ₽ от 100 шт.
8 773,63 ₽ от 500 шт.
США
На складе 12 шт.
Обновлено 09:59 25.12.2020
10 235,50 ₽ от 1 шт.
10 030,79 ₽ от 25 шт.
9 826,07 ₽ от 100 шт.
9 621,36 ₽ от 500 шт.
9 416,65 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:48 24.12.2020
11 214,89 ₽ от 1 шт.
9 905,39 ₽ от 10 шт.
9 731,52 ₽ от 100 шт.
США
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 24.12.2020
11 663,49 ₽ от 1 шт.
10 301,61 ₽ от 10 шт.
10 120,79 ₽ от 100 шт.
США
На складе 592 шт.
Обновлено 17:02 05.12.2020
Цена по запросу.
США
На складе 1 шт.
Обновлено 11:44 25.12.2020
Цена по запросу.
США
На складе 8 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 5 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 11 250,05 ₽ до 12 964,88 ₽
Китай
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:11 24.12.2020
12 964,88 ₽ от 1 шт.
11 451,05 ₽ от 10 шт.
11 250,05 ₽ от 100 шт.

Технические характеристики Infineon FP50R12KT4B11BOSA1, атрибуты и параметры.

Mounting Style:
Screw
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Полярность:
N-Channel
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray
  • Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 50A
  • Полярность транзистора: n канал
  • Dc Collector Current:50A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.85V
  • Power Dissipation Pd:280W
  • Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv
  • Transistor Case Rohs Compliant: Yes
  • EconoPIM 2 1200V three phase PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and PressFIT Contact Technology | Summary of Features: Low Switching Losses
  • Low V(CEsat)
  • T(vj op) = 150C
  • V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
  • High Power and Thermal Cycling Capability
  • Integrated NTC temperature sensor
  • Copper Base Plate
  • Standard Housing | Benefits: Compact module concept
  • Optimized customers development cycle time and cost
  • Configuration flexibility | Target Applications: drives
  • induction
  • aircon

Документы по Infineon FP50R12KT4B11BOSA1, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon FP50R12KT4B11BOSA1, сравнение характеристик.