Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Диоды  »  Выпрямительные диоды

Infineon
IDH08G65C5XKSA2

IDH08G65C5 Series 650 V 8 A 5th Generation ThinQ!™SiC Schottky Diode -TO-220-2

Цена от 184,11 ₽ до 2 226,69 ₽

Наличие Infineon IDH08G65C5XKSA2 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 10
В наличии до 3920 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 184,11 ₽ до 434,29 ₽
США
На складе 198 шт.
MOQ 6 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
301,85 ₽ от 19 шт.
228,11 ₽ от 100 шт.
214,68 ₽ от 500 шт.
184,11 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 313 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube
394,51 ₽ от 1 шт.
354,73 ₽ от 10 шт.
354,73 ₽ от 50 шт.
268,53 ₽ от 100 шт.
204,44 ₽ от 1000 шт.
201,12 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Tube
434,29 ₽ от 1 шт.
364,90 ₽ от 10 шт.
295,19 ₽ от 100 шт.
262,39 ₽ от 500 шт.
224,67 ₽ от 1000 шт.
216,17 ₽ от 2000 шт.
США
На складе 200 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
355,41 ₽ от 1 шт.
323,57 ₽ от 10 шт.
291,82 ₽ от 25 шт.
288,92 ₽ от 50 шт.
220,33 ₽ от 100 шт.
США
На складе 3920 шт.
MOQ 155 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
268,93 ₽ от 155 шт.
259,79 ₽ от 160 шт.
252,36 ₽ от 320 шт.
246,80 ₽ от 780 шт.
237,52 ₽ от 1600 шт.
231,49 ₽ от 7800 шт.
225,46 ₽ от 16000 шт.
США
На складе 3920 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
249,80 ₽ от 1 шт.
244,80 ₽ от 25 шт.
239,81 ₽ от 100 шт.
234,81 ₽ от 500 шт.
229,81 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 500 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
352,24 ₽ от 8 шт.
305,75 ₽ от 10 шт.
281,79 ₽ от 50 шт.
273,34 ₽ от 100 шт.
259,25 ₽ от 500 шт.
США
На складе 82 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
411,44 ₽ от 1 шт.
349,38 ₽ от 10 шт.
327,54 ₽ от 25 шт.
306,86 ₽ от 50 шт.
285,02 ₽ от 100 шт.
Канада
На складе 130 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 521 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 960 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 232,35 ₽ до 2 226,69 ₽
Германия
На складе 960 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 08:05 04.03.2021
351,29 ₽ от 5 шт.
277,99 ₽ от 25 шт.
242,03 ₽ от 100 шт.
232,35 ₽ от 200 шт.
Германия
На складе 200 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 06:01 04.03.2021
261,39 ₽ от 50 шт.
250,33 ₽ от 100 шт.
244,80 ₽ от 150 шт.
232,35 ₽ от 200 шт.
Британия
На складе 82 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
2 226,69 ₽ от 1 шт.
1 680,39 ₽ от 10 шт.
1 369,21 ₽ от 100 шт.
1 189,41 ₽ от 500 шт.
1 030,36 ₽ от 1000 шт.
Азия 2
В наличии до 500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 236,83 ₽ до 510,60 ₽
Япония
На складе 500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Tube
323,17 ₽ от 1 шт.
281,06 ₽ от 10 шт.
259,03 ₽ от 50 шт.
251,04 ₽ от 100 шт.
236,83 ₽ от 500 шт.
Сингапур
На складе 82 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
510,60 ₽ от 1 шт.
433,29 ₽ от 10 шт.
354,08 ₽ от 100 шт.
306,36 ₽ от 500 шт.
262,46 ₽ от 1000 шт.
255,78 ₽ от 2500 шт.

Технические характеристики Infineon IDH08G65C5XKSA2, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
175 °C (max)
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
2
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • IDH08G65C5 Series 650 V 8 A 5th Generation ThinQ!™SiC Schottky Diode -TO-220-2
  • Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
  • RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA
  • CoolSiC™ generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes, PG-TO220-2, RoHS
  • Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
  • CoolSiC generation 5 represents Infineons leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon proprietary diffusion soldering process, already introduced with G3, is now combined with a new, more compact design and thin wafer technology. The result is a new family of products showing improved efficiency over all load conditions, coming from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit (Q c x V f). | Summary of Features: V br at 650V
  • Improved figure of merit (Q c x V f)
  • No reverse recovery charge
  • Soft switching reverse recovery waveform
  • Temperature independent switching behavior
  • High operating temperature (T j max 175C)
  • Improved surge capability
  • Pb-free lead plating | Benefits: Higher safety margin against overvoltage and complements CoolMOS offer
  • Improved efficiency over all load conditions
  • Increased efficiency compared to Silicon Diode alternatives
  • Reduced EMI compared to snappier Silicon diode reverse recovery waveform
  • Highly stable switching performance
  • Reduced cooling requirements
  • Reduced risks of thermal runaway
  • Соответствует RoHS
  • Very high quality and high volume manufacturing capability | Target Applications: Telecom/server SMPS
  • Солнечная
  • UPS
  • Мощность ПК
  • LED/LCD TV
  • Motor drives
  • HID lighting

Документы по Infineon IDH08G65C5XKSA2, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon IDH08G65C5XKSA2, сравнение характеристик.