Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IKP20N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Цена от 111,85 ₽ до 2 578,96 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IKP20N60TXKSA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 955 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 270,37 ₽ до 2 578,96 ₽
Британия
На складе 440 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
350,14 ₽ от 50 шт.
318,91 ₽ от 100 шт.
270,37 ₽ от 250 шт.
Британия
На складе 955 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
2 578,96 ₽ от 1 шт.
1 934,22 ₽ от 10 шт.
1 462,80 ₽ от 100 шт.
1 379,61 ₽ от 500 шт.
1 185,49 ₽ от 1000 шт.
Европейский союз
На складе 450 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
Цена по запросу.
Америка 17
В наличии до 913 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 111,85 ₽ до 438,56 ₽
США
На складе 479 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
111,85 ₽ от 1 шт.
111,85 ₽ от 10 шт.
111,85 ₽ от 25 шт.
111,85 ₽ от 50 шт.
111,85 ₽ от 100 шт.
США
На складе 609 шт.
MOQ 6 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
126,26 ₽ от 6 шт.
США
На складе 479 шт.
MOQ 52 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
131,15 ₽ от 52 шт.
131,15 ₽ от 100 шт.
США
На складе 609 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
131,31 ₽ от 1 шт.
США
На складе 28 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
150,11 ₽ от 1 шт.
147,10 ₽ от 25 шт.
144,10 ₽ от 100 шт.
141,09 ₽ от 500 шт.
138,10 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 496 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
140,26 ₽ от 8 шт.
140,26 ₽ от 50 шт.
140,26 ₽ от 100 шт.
США
На складе 571 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
348,43 ₽ от 1 шт.
288,91 ₽ от 10 шт.
279,51 ₽ от 25 шт.
229,99 ₽ от 100 шт.
194,61 ₽ от 500 шт.
165,12 ₽ от 1000 шт.
156,87 ₽ от 2500 шт.
155,47 ₽ от 5000 шт.
Канада
На складе 500 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 01:49 06.03.2021
Упаковка Tube
194,41 ₽ от 50 шт.
158,96 ₽ от 1000 шт.
156,67 ₽ от 1500 шт.
155,53 ₽ от 2000 шт.
США
На складе 479 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
343,79 ₽ от 1 шт.
291,52 ₽ от 10 шт.
268,29 ₽ от 25 шт.
243,90 ₽ от 50 шт.
220,68 ₽ от 100 шт.
171,89 ₽ от 2500 шт.
159,12 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 913 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
331,68 ₽ от 1 шт.
262,44 ₽ от 10 шт.
262,44 ₽ от 50 шт.
225,59 ₽ от 100 шт.
170,87 ₽ от 1000 шт.
170,87 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 400 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
212,55 ₽ от 100 шт.
198,61 ₽ от 400 шт.
США
На складе 394 шт.
MOQ 7 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
438,56 ₽ от 7 шт.
310,41 ₽ от 10 шт.
260,58 ₽ от 50 шт.
246,34 ₽ от 100 шт.
США
На складе 483 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Канада
На складе 717 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 503 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 28 шт.
MOQ 261 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 462 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 5
В наличии до 5850 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 143,07 ₽ до 526,77 ₽
Китай
На складе 5850 шт.
MOQ 35 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
211,91 ₽ от 35 шт.
174,79 ₽ от 75 шт.
169,53 ₽ от 115 шт.
164,26 ₽ от 160 шт.
159,00 ₽ от 205 шт.
143,07 ₽ от 270 шт.
Китай
На складе 609 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
145,07 ₽ от 1 шт.
Япония
На складе 394 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
400,27 ₽ от 1 шт.
283,07 ₽ от 10 шт.
236,55 ₽ от 50 шт.
224,38 ₽ от 100 шт.
Сингапур
На складе 786 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
526,77 ₽ от 1 шт.
446,32 ₽ от 10 шт.
338,09 ₽ от 100 шт.
318,94 ₽ от 500 шт.
272,01 ₽ от 1000 шт.
264,34 ₽ от 2500 шт.
244,23 ₽ от 5000 шт.
Израиль
На складе 450 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IKP20N60TXKSA1, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
166 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
14.0 ns
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • 600 V IGBT with anti-parallel diode in TO220 package, PG-TO220-3, RoHS
  • IKP20N60T Series 600V 41A Through Hole IGBT TrenchStop™ - PG-TO-220-3
  • IGBT, N, 600V, 20A, TO-220
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:40A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.05V
  • Power Dissipation Pd:166W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Operating Temperature Range:-40°C to +175°C
  • Тип корпуса транзистора: TO-220
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:20A
  • Current Ic Continuous b Max:20A
  • Fall Time tf:42ns
  • Количество транзисторов: 1
  • Упаковка / ящик: TO-220
  • Power Dissipation Max:166W
  • Power Dissipation Pd:166W
  • Power Dissipation Pd:166W
  • Pulsed Current Icm:60A
  • Время нарастания: 14 нс
  • Short Circuit Withstand Time Min:5µs
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. | Summary of Features: Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
  • Low switching losses
  • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
  • Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
  • High ruggedness, temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution | Benefits: Highest efficiency low conduction and switching losses
  • Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
  • High device reliability | Target Applications: UPS
  • Solar Inverters
  • Major Home Appliances
  • Welding
  • Air conditioning
  • Industrial Drives
  • Other hard switching applications

Документы по Infineon IKP20N60TXKSA1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(13 страниц, 12.08.2015)
Заявление о конфликтных минералах