Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IKW25T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Цена от 307,67 ₽ до 4 547,85 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IKW25T120FKSA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 7
В наличии до 1060 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 377,14 ₽ до 4 547,85 ₽
Германия
На складе 170 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
537,98 ₽ от 1 шт.
440,92 ₽ от 10 шт.
391,00 ₽ от 50 шт.
377,14 ₽ от 100 шт.
Британия
На складе 585 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
845,24 ₽ от 15 шт.
740,17 ₽ от 60 шт.
692,28 ₽ от 150 шт.
652,87 ₽ от 300 шт.
Британия
На складе 33 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
993,40 ₽ от 3 шт.
845,24 ₽ от 15 шт.
740,17 ₽ от 60 шт.
692,28 ₽ от 150 шт.
652,87 ₽ от 300 шт.
Британия
На складе 1060 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
4 547,85 ₽ от 1 шт.
4 055,63 ₽ от 5 шт.
3 556,47 ₽ от 10 шт.
3 327,69 ₽ от 50 шт.
3 085,05 ₽ от 100 шт.
2 911,73 ₽ от 250 шт.
Британия
На складе 10 шт.
Обновлено 12:22 02.03.2021
Цена по запросу.
Испания
На складе 210 шт.
Обновлено 10:42 01.03.2021
Цена по запросу.
Германия
На складе 497 шт.
Обновлено 10:59 24.02.2021
Цена по запросу.
Америка 9
В наличии до 1060 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 307,67 ₽ до 893,15 ₽
США
На складе 77 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
347,21 ₽ от 3 шт.
336,93 ₽ от 10 шт.
332,47 ₽ от 25 шт.
329,23 ₽ от 50 шт.
319,40 ₽ от 100 шт.
307,67 ₽ от 250 шт.
США
На складе 77 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
361,09 ₽ от 1 шт.
350,41 ₽ от 10 шт.
345,76 ₽ от 25 шт.
342,40 ₽ от 50 шт.
332,17 ₽ от 100 шт.
319,98 ₽ от 250 шт.
США
На складе 137 шт.
MOQ 85 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
497,20 ₽ от 85 шт.
480,30 ₽ от 90 шт.
466,57 ₽ от 180 шт.
456,28 ₽ от 430 шт.
439,13 ₽ от 850 шт.
427,98 ₽ от 4300 шт.
416,83 ₽ от 8500 шт.
США
На складе 137 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
461,82 ₽ от 1 шт.
452,58 ₽ от 25 шт.
443,35 ₽ от 100 шт.
434,12 ₽ от 500 шт.
424,88 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 309 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
785,10 ₽ от 1 шт.
675,65 ₽ от 10 шт.
675,65 ₽ от 50 шт.
560,62 ₽ от 100 шт.
470,16 ₽ от 1000 шт.
470,16 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 580 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
785,10 ₽ от 1 шт.
676,77 ₽ от 10 шт.
676,77 ₽ от 50 шт.
561,74 ₽ от 100 шт.
471,28 ₽ от 1000 шт.
471,28 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
863,27 ₽ от 1 шт.
740,31 ₽ от 10 шт.
689,45 ₽ от 25 шт.
616,89 ₽ от 100 шт.
544,31 ₽ от 500 шт.
489,88 ₽ от 1000 шт.
478,33 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 1060 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
893,15 ₽ от 1 шт.
808,37 ₽ от 10 шт.
771,20 ₽ от 25 шт.
720,10 ₽ от 50 шт.
669,00 ₽ от 100 шт.
638,80 ₽ от 250 шт.
США
На складе 2 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 1060 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 309,26 ₽ до 976,92 ₽
Китай
На складе 870 шт.
MOQ 15 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
458,11 ₽ от 15 шт.
377,97 ₽ от 35 шт.
366,41 ₽ от 55 шт.
354,98 ₽ от 75 шт.
343,55 ₽ от 95 шт.
309,26 ₽ от 125 шт.
Сингапур
На складе 1060 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
976,92 ₽ от 1 шт.
883,06 ₽ от 10 шт.
842,83 ₽ от 25 шт.
730,78 ₽ от 100 шт.
697,25 ₽ от 250 шт.
635,96 ₽ от 500 шт.
Малайзия
На складе 672 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IKW25T120FKSA1, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
190 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • IGBT, N, 1200V, 25A, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:50A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.2V
  • Power Dissipation Pd:190W
  • Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ
  • Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:25A
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:190W
  • Power Dissipation Pd:190W
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1.2kV
  • Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trenchstop-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery Emitter Controled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. | Summary of Features: Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
  • Low switching losses
  • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
  • Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
  • High ruggedness, temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution | Benefits: Highest efficiency low conduction and switching losses
  • Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
  • High device reliability | Target Applications: UPS
  • Solar inverters
  • Motor control
  • Major home appliances
  • Welding
  • Other hard switching applications

Документы по Infineon IKW25T120FKSA1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(16 страниц, 18.06.2013)
Заявление о конфликтных минералах