Наличие Infineon IKW30N60TFKSA1 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 78 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
На складе 570 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
На складе 173 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
На складе 304 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 304 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
На складе 44 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
На складе 270 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 115 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
На складе 44 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 408 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 855 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 45 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 480 шт.
MOQ 7 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 36 шт.
MOQ 17 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 28 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
На складе 88 шт.
MOQ 168 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
Цена по запросу.
На складе 285 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 10 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 9600 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 304 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
На складе 480 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 167 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
На складе 36 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
На складе 36 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IKW30N60TFKSA1, атрибуты и параметры.
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
187 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
- Trans IGBT Chip N=-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- IKW30N60T Series 600 V 30 A Through Hole TRENCHSTOP IGBT -PG - TO247-3
- 600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
- IGBT, N, 600V, 30A, TO-247
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current:60A
- Collector Emitter Voltage Vces:2.05V
- Power Dissipation Pd:187W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
- Operating Temperature Range:-40°C to +175°C
- Transistor Case Style:TO-247
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Ic Continuous a Max:25A
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case:TO-247
- Power Dissipation Max:187W
- Power Dissipation Pd:187W
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
- Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. | Summary of Features: Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
- Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
- High ruggedness, temperature stable behavior
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution | Benefits: Highest efficiency low conduction and switching losses
- Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
- High device reliability | Target Applications: UPS
- Solar Inverters
- Major Home Appliances
- Welding
- Air conditioning
- Industrial Drives
- Other hard switching applications