Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IKW50N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Цена от 162,07 ₽ до 3 806,05 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IKW50N60TFKSA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 2098 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 568,78 ₽ до 3 806,05 ₽
Британия
На складе 104 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
872,31 ₽ от 1 шт.
725,11 ₽ от 25 шт.
628,85 ₽ от 100 шт.
597,93 ₽ от 240 шт.
568,78 ₽ от 480 шт.
Британия
На складе 466 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
725,11 ₽ от 25 шт.
628,85 ₽ от 100 шт.
597,93 ₽ от 240 шт.
568,78 ₽ от 480 шт.
Британия
На складе 2098 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
3 806,05 ₽ от 1 шт.
3 272,23 ₽ от 10 шт.
2 565,10 ₽ от 100 шт.
2 391,78 ₽ от 500 шт.
2 322,45 ₽ от 1000 шт.
Европейский союз
На складе 120 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
Цена по запросу.
Америка 15
В наличии до 1260 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 162,07 ₽ до 1 619,53 ₽
США
На складе 68 шт.
MOQ 19 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
162,07 ₽ от 43 шт.
США
На складе 255 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
592,44 ₽ от 2 шт.
502,28 ₽ от 10 шт.
498,56 ₽ от 25 шт.
493,55 ₽ от 50 шт.
446,30 ₽ от 100 шт.
442,05 ₽ от 250 шт.
302,58 ₽ от 500 шт.
США
На складе 68 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
306,62 ₽ от 1 шт.
306,62 ₽ от 10 шт.
306,62 ₽ от 25 шт.
306,62 ₽ от 50 шт.
306,62 ₽ от 100 шт.
306,62 ₽ от 250 шт.
США
На складе 255 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
616,14 ₽ от 1 шт.
522,37 ₽ от 10 шт.
518,51 ₽ от 25 шт.
513,29 ₽ от 50 шт.
464,15 ₽ от 100 шт.
459,74 ₽ от 250 шт.
314,68 ₽ от 500 шт.
США
На складе 1260 шт.
MOQ 113 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
598,77 ₽ от 113 шт.
496,15 ₽ от 120 шт.
496,15 ₽ от 230 шт.
325,73 ₽ от 570 шт.
320,56 ₽ от 1200 шт.
317,97 ₽ от 5700 шт.
США
На складе 1060 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
348,01 ₽ от 1 шт.
341,05 ₽ от 25 шт.
334,08 ₽ от 100 шт.
327,12 ₽ от 500 шт.
320,17 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 403 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
658,90 ₽ от 1 шт.
522,65 ₽ от 10 шт.
522,65 ₽ от 50 шт.
440,01 ₽ от 100 шт.
354,02 ₽ от 1000 шт.
354,02 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 456 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
657,78 ₽ от 1 шт.
559,51 ₽ от 10 шт.
559,51 ₽ от 50 шт.
447,83 ₽ от 100 шт.
355,14 ₽ от 1000 шт.
355,14 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 710 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
724,79 ₽ от 1 шт.
608,42 ₽ от 10 шт.
574,25 ₽ от 25 шт.
492,20 ₽ от 100 шт.
437,51 ₽ от 500 шт.
374,62 ₽ от 1000 шт.
360,45 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 78 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
716,61 ₽ от 1 шт.
648,09 ₽ от 10 шт.
617,89 ₽ от 25 шт.
564,46 ₽ от 50 шт.
512,20 ₽ от 100 шт.
США
На складе 90 шт.
MOQ 11 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
822,19 ₽ от 11 шт.
786,87 ₽ от 25 шт.
756,90 ₽ от 50 шт.
США
На складе 72 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
1 619,53 ₽ от 1 шт.
1 349,60 ₽ от 2 шт.
1 187,65 ₽ от 3 шт.
1 079,68 ₽ от 8 шт.
998,71 ₽ от 28 шт.
США
На складе 944 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 90 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 8 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 7
В наличии до 19501 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 347,66 ₽ до 900,30 ₽
Китай
На складе 255 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
680,70 ₽ от 1 шт.
577,11 ₽ от 10 шт.
572,84 ₽ от 25 шт.
567,08 ₽ от 50 шт.
512,79 ₽ от 100 шт.
507,91 ₽ от 250 шт.
347,66 ₽ от 500 шт.
Китай
На складе 19501 шт.
MOQ 12 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
553,79 ₽ от 12 шт.
456,95 ₽ от 30 шт.
443,08 ₽ от 45 шт.
429,21 ₽ от 60 шт.
415,34 ₽ от 80 шт.
373,86 ₽ от 105 шт.
Сингапур
На складе 1378 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
900,30 ₽ от 1 шт.
775,79 ₽ от 10 шт.
642,66 ₽ от 100 шт.
605,31 ₽ от 250 шт.
567,96 ₽ от 500 шт.
550,72 ₽ от 1000 шт.
540,18 ₽ от 2500 шт.
Япония
На складе 90 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
884,71 ₽ от 1 шт.
741,83 ₽ от 10 шт.
656,19 ₽ от 50 шт.
584,50 ₽ от 100 шт.
583,75 ₽ от 500 шт.
582,25 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 53 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
747,74 ₽ от 1 шт.
662,91 ₽ от 10 шт.
649,54 ₽ от 30 шт.
629,34 ₽ от 100 шт.
629,34 ₽ от 102 шт.
629,34 ₽ от 104 шт.
Китай
На складе 4014 шт.
Обновлено 11:28 26.02.2021
793,69 ₽ от 1 шт.
Израиль
На складе 90 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IKW50N60TFKSA1, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
333 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • IKW30N60T Series 600 V 50 A Through Hole TRENCHSTOP™ IGBT - PG-TO-247-3
  • 600 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
  • IGBT, N, 600V, 50A, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:80A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2V
  • Power Dissipation Pd:333W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Operating Temperature Range:-40°C to +175°C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:50A
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:333W
  • Power Dissipation Pd:333W
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. | Summary of Features: Lowest V CEsat drop for lower conduction losses
  • Low switching losses
  • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V CEsat
  • Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
  • High ruggedness, temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution | Benefits: Highest efficiency low conduction and switching losses
  • Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
  • High device reliability

Документы по Infineon IKW50N60TFKSA1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(13 страниц, 19.03.2014)
Заявление о конфликтных минералах