Наличие Infineon IKW50N60TFKSA1 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 104 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
На складе 466 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
На складе 2098 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
На складе 120 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
Цена по запросу.
На складе 68 шт.
MOQ 19 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 255 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 68 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
На складе 255 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
На складе 1260 шт.
MOQ 113 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
На складе 1060 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
На складе 403 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 456 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 710 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 78 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
На складе 90 шт.
MOQ 11 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 72 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
На складе 944 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 90 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 8 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 255 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
На складе 19501 шт.
MOQ 12 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 1378 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
На складе 90 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
На складе 53 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
На складе 4014 шт.
Обновлено 11:28 26.02.2021
На складе 90 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IKW50N60TFKSA1, атрибуты и параметры.
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
333 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- IKW30N60T Series 600 V 50 A Through Hole TRENCHSTOP IGBT - PG-TO-247-3
- 600 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
- IGBT, N, 600V, 50A, TO-247
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current:80A
- Collector Emitter Voltage Vces:2V
- Power Dissipation Pd:333W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
- Operating Temperature Range:-40°C to +175°C
- Transistor Case Style:TO-247
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Ic Continuous a Max:50A
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case:TO-247
- Power Dissipation Max:333W
- Power Dissipation Pd:333W
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
- Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. | Summary of Features: Lowest V CEsat drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V CEsat
- Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
- High ruggedness, temperature stable behavior
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution | Benefits: Highest efficiency low conduction and switching losses
- Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
- High device reliability