Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IKW75N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Цена от 360,69 ₽ до 5 470,86 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IKW75N60TFKSA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 5
В наличии до 1390 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 630,29 ₽ до 5 470,86 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
850,14 ₽ от 1 шт.
750,74 ₽ от 3 шт.
674,73 ₽ от 10 шт.
630,29 ₽ от 30 шт.
Британия
На складе 127 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 20:01 04.02.2021
1 337,96 ₽ от 5 шт.
Британия
На складе 179 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 20:01 04.02.2021
1 393,03 ₽ от 1 шт.
1 337,96 ₽ от 5 шт.
Британия
На складе 1390 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:25 04.02.2021
5 470,86 ₽ от 1 шт.
4 891,26 ₽ от 5 шт.
4 311,66 ₽ от 10 шт.
3 944,11 ₽ от 50 шт.
3 569,49 ₽ от 100 шт.
3 364,51 ₽ от 250 шт.
Европейский союз
На складе 210 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:27 04.02.2021
Цена по запросу.
Америка 17
В наличии до 2624 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 427,21 ₽ до 1 005,53 ₽
США
На складе 1281 шт.
Обновлено 10:02 04.02.2021
464,35 ₽ от 1 шт.
455,07 ₽ от 25 шт.
445,78 ₽ от 100 шт.
436,50 ₽ от 500 шт.
427,21 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1114 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
780,38 ₽ от 2 шт.
628,88 ₽ от 10 шт.
622,53 ₽ от 25 шт.
564,29 ₽ от 100 шт.
552,17 ₽ от 250 шт.
499,14 ₽ от 500 шт.
475,91 ₽ от 1000 шт.
469,67 ₽ от 2500 шт.
465,03 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 464 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.02.2021
Упаковка Tube
789,78 ₽ от 1 шт.
631,15 ₽ от 10 шт.
631,15 ₽ от 50 шт.
564,29 ₽ от 100 шт.
473,64 ₽ от 1000 шт.
473,64 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 2624 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 04.02.2021
Упаковка Tube
867,97 ₽ от 1 шт.
744,35 ₽ от 10 шт.
693,24 ₽ от 25 шт.
620,28 ₽ от 100 шт.
547,30 ₽ от 500 шт.
492,57 ₽ от 1000 шт.
480,96 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 1114 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:14 04.02.2021
811,59 ₽ от 1 шт.
654,04 ₽ от 10 шт.
647,44 ₽ от 25 шт.
586,86 ₽ от 100 шт.
574,25 ₽ от 250 шт.
519,10 ₽ от 500 шт.
494,95 ₽ от 1000 шт.
488,45 ₽ от 2500 шт.
483,63 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 414 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.02.2021
Упаковка Tube
920,09 ₽ от 1 шт.
792,05 ₽ от 10 шт.
792,05 ₽ от 50 шт.
656,08 ₽ от 100 шт.
562,03 ₽ от 1000 шт.
562,03 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1281 шт.
MOQ 86 шт.
Обновлено 03:53 04.02.2021
798,55 ₽ от 86 шт.
798,55 ₽ от 90 шт.
662,22 ₽ от 180 шт.
623,26 ₽ от 430 шт.
584,30 ₽ от 860 шт.
584,30 ₽ от 4300 шт.
США
На складе 237 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:53 04.02.2021
956,90 ₽ от 1 шт.
823,73 ₽ от 10 шт.
776,59 ₽ от 25 шт.
729,46 ₽ от 50 шт.
682,32 ₽ от 100 шт.
642,25 ₽ от 250 шт.
603,36 ₽ от 500 шт.
США
На складе 140 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 04:01 04.02.2021
782,49 ₽ от 30 шт.
736,53 ₽ от 50 шт.
689,39 ₽ от 100 шт.
661,11 ₽ от 250 шт.
610,43 ₽ от 500 шт.
США
На складе 237 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 04.02.2021
956,90 ₽ от 1 шт.
823,73 ₽ от 10 шт.
776,59 ₽ от 25 шт.
729,46 ₽ от 50 шт.
682,32 ₽ от 100 шт.
642,25 ₽ от 250 шт.
США
На складе 96 шт.
MOQ 34 шт.
Обновлено 19:29 04.02.2021
777,77 ₽ от 34 шт.
723,56 ₽ от 192 шт.
США
На складе 10 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
1 005,53 ₽ от 3 шт.
817,71 ₽ от 10 шт.
США
На складе 257 шт.
Обновлено 14:24 26.01.2021
Цена по запросу.
США
На складе 3 шт.
MOQ 86 шт.
Обновлено 03:53 04.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 10 шт.
Обновлено 00:15 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 12 шт.
Обновлено 19:05 01.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 184 шт.
Обновлено 19:03 29.01.2021
Цена по запросу.
Азия 5
В наличии до 26206 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 360,69 ₽ до 1 207,62 ₽
Китай
На складе 26206 шт.
MOQ 13 шт.
Обновлено 12:01 02.02.2021
520,97 ₽ от 13 шт.
440,83 ₽ от 30 шт.
427,41 ₽ от 50 шт.
414,12 ₽ от 65 шт.
400,70 ₽ от 85 шт.
360,69 ₽ от 110 шт.
Китай
На складе 1114 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
894,50 ₽ от 1 шт.
720,85 ₽ от 10 шт.
713,58 ₽ от 25 шт.
646,82 ₽ от 100 шт.
632,92 ₽ от 250 шт.
572,13 ₽ от 500 шт.
545,51 ₽ от 1000 шт.
538,49 ₽ от 2500 шт.
533,04 ₽ от 5000 шт.
Сингапур
На складе 1421 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 04.02.2021
1 207,62 ₽ от 1 шт.
1 039,84 ₽ от 10 шт.
861,33 ₽ от 100 шт.
810,61 ₽ от 250 шт.
759,89 ₽ от 500 шт.
737,45 ₽ от 1000 шт.
Япония
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:32 04.02.2021
Упаковка Tube
941,44 ₽ от 1 шт.
764,24 ₽ от 10 шт.
Израиль
На складе 90 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IKW75N60TFKSA1, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
428 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • IKW75N60T Series 600 V 75 A Through Hole TRENCHSTOP™ IGBT - PG-TO247-3
  • 600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
  • IGBT, N, 600V, 75A, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:80A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2V
  • Power Dissipation Pd:428W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Operating Temperature Range:-40°C to +175°C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:75A
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:428W
  • Power Dissipation Pd:428W
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. | Summary of Features: Lowest V CEsat drop for lower conduction losses
  • Low switching losses
  • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V CEsat
  • Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
  • High ruggedness, temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution | Benefits: Highest efficiency low conduction and switching losses
  • Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
  • High device reliability

Документы по Infineon IKW75N60TFKSA1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(13 страниц, 19.03.2014)
Заявление о конфликтных минералах