Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF1310NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.036 Ohm; Id 42A; TO-220AB; Pd 160W; Vgs +/-20V

Цена от 34,42 ₽ до 1 102,30 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRF1310NPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 1150 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 61,46 ₽ до 1 102,30 ₽
Германия
На складе 1150 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 06:01 06.03.2021
65,63 ₽ от 50 шт.
64,44 ₽ от 150 шт.
63,25 ₽ от 300 шт.
61,46 ₽ от 600 шт.
Германия
На складе 870 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
121,27 ₽ от 10 шт.
90,98 ₽ от 50 шт.
75,82 ₽ от 200 шт.
72,99 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 185 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
218,64 ₽ от 1 шт.
196,54 ₽ от 10 шт.
174,43 ₽ от 15 шт.
163,54 ₽ от 20 шт.
152,49 ₽ от 25 шт.
Британия
На складе 875 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
1 102,30 ₽ от 1 шт.
824,99 ₽ от 10 шт.
617,01 ₽ от 100 шт.
522,73 ₽ от 500 шт.
420,12 ₽ от 1000 шт.
410,42 ₽ от 5000 шт.
Америка 10
В наличии до 1455 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 55,52 ₽ до 200,93 ₽
США
На складе 350 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
143,56 ₽ от 1000 шт.
135,08 ₽ от 10000 шт.
84,41 ₽ от 100000 шт.
55,83 ₽ от 500000 шт.
55,52 ₽ от 1000000 шт.
США
На складе 137 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
72,23 ₽ от 1 шт.
70,79 ₽ от 25 шт.
69,34 ₽ от 100 шт.
67,90 ₽ от 500 шт.
66,45 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 148 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
169,75 ₽ от 1 шт.
145,18 ₽ от 10 шт.
145,18 ₽ от 50 шт.
108,44 ₽ от 100 шт.
74,71 ₽ от 1000 шт.
73,71 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1455 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
187,62 ₽ от 1 шт.
153,22 ₽ от 10 шт.
150,41 ₽ от 25 шт.
119,18 ₽ от 100 шт.
101,02 ₽ от 500 шт.
82,29 ₽ от 1000 шт.
77,47 ₽ от 2500 шт.
74,81 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 88 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
174,22 ₽ от 1 шт.
145,18 ₽ от 4 шт.
104,53 ₽ от 13 шт.
81,30 ₽ от 57 шт.
США
На складе 875 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
200,93 ₽ от 1 шт.
173,06 ₽ от 10 шт.
140,54 ₽ от 100 шт.
125,44 ₽ от 500 шт.
113,36 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 350 шт.
MOQ 12 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
169,42 ₽ от 12 шт.
США
На складе 137 шт.
MOQ 542 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
Цена по запросу.
Канада
На складе 169 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 5 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 5
В наличии до 5000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 34,42 ₽ до 222,20 ₽
Китай
На складе 4600 шт.
MOQ 130 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
50,99 ₽ от 130 шт.
42,12 ₽ от 305 шт.
40,84 ₽ от 475 шт.
39,56 ₽ от 650 шт.
38,27 ₽ от 840 шт.
34,42 ₽ от 1120 шт.
Китай
На складе 12 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
79,38 ₽ от 1 шт.
77,12 ₽ от 10 шт.
77,12 ₽ от 30 шт.
77,12 ₽ от 100 шт.
77,12 ₽ от 500 шт.
77,12 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 5000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 11:45 05.03.2021
92,47 ₽ от 1000 шт.
92,47 ₽ от 10000 шт.
Сингапур
На складе 875 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
222,20 ₽ от 1 шт.
189,64 ₽ от 10 шт.
139,83 ₽ от 100 шт.
120,68 ₽ от 500 шт.
97,69 ₽ от 1000 шт.
96,73 ₽ от 2000 шт.
Израиль
На складе 5000 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRF1310NPBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
42.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
42.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF1310N
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
160 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
56.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • N-Ch
  • VDSS 100 В
  • RDS(ON) 0.036Ohm
  • ID 42A
  • TO-220AB
  • PD 160W
  • ВГС +/- 20В
  • Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 160 W
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Низкий RDS (вкл.)
  • Лучшее в отрасли качество
  • Динамический рейтинг dv / dt
  • Быстрое переключение
  • Полностью оценен от лавин
  • 175C рабочая температура
  • N Channel Mosfet, 100V, 42A, To-220Ab
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • Continuous Drain Current Id:42A
  • On Resistance Rds(On):0.036Ohm
  • Монтаж транзистора: через отверстие
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
  • МОП-транзистор, N, TO-220
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:41A
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on):36mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:42A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Расстояние между выводами: 2,54 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-220AB
  • Конфигурация контактов: a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:160A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:100V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по Infineon IRF1310NPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 18.08.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)