Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF2204SPBF

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Цена от 114,64 ₽ до 430,66 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRF2204SPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 12
В наличии до 1724 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 124,00 ₽ до 362,87 ₽
США
На складе 1000 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
245,92 ₽ от 23 шт.
232,51 ₽ от 25 шт.
186,00 ₽ от 100 шт.
165,33 ₽ от 500 шт.
141,56 ₽ от 1000 шт.
139,50 ₽ от 2500 шт.
127,10 ₽ от 5000 шт.
124,00 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 1200 шт.
MOQ 246 шт.
Обновлено 03:48 18.02.2021
170,28 ₽ от 246 шт.
164,49 ₽ от 250 шт.
159,79 ₽ от 500 шт.
156,27 ₽ от 1300 шт.
150,39 ₽ от 2500 шт.
146,58 ₽ от 13000 шт.
142,76 ₽ от 25000 шт.
США
На складе 1200 шт.
Обновлено 09:58 18.02.2021
158,16 ₽ от 1 шт.
155,00 ₽ от 25 шт.
151,83 ₽ от 100 шт.
148,67 ₽ от 500 шт.
145,51 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 900 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
166,88 ₽ от 246 шт.
157,91 ₽ от 296 шт.
151,80 ₽ от 546 шт.
США
На складе 50 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:17 17.02.2021
Упаковка Tube
328,96 ₽ от 1 шт.
276,46 ₽ от 10 шт.
260,95 ₽ от 25 шт.
223,69 ₽ от 100 шт.
198,84 ₽ от 500 шт.
170,26 ₽ от 1000 шт.
163,82 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 150 шт.
MOQ 150 шт.
Обновлено 18:23 17.02.2021
194,67 ₽ от 150 шт.
США
На складе 865 шт.
MOQ 6 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
348,91 ₽ от 6 шт.
310,93 ₽ от 10 шт.
288,00 ₽ от 50 шт.
270,36 ₽ от 100 шт.
США
На складе 865 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:30 17.02.2021
362,87 ₽ от 1 шт.
323,37 ₽ от 10 шт.
299,52 ₽ от 50 шт.
281,17 ₽ от 100 шт.
США
На складе 24 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:30 17.02.2021
Цена по запросу.
Канада
На складе 613 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 193 шт.
Обновлено 00:10 18.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1724 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Европа 4
В наличии до 1050 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 117,74 ₽ до 430,66 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
125,74 ₽ от 1 шт.
117,74 ₽ от 3 шт.
Европейский союз
На складе 1050 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:39 18.02.2021
181,99 ₽ от 50 шт.
174,71 ₽ от 100 шт.
171,07 ₽ от 200 шт.
168,34 ₽ от 300 шт.
161,97 ₽ от 400 шт.
159,24 ₽ от 500 шт.
151,05 ₽ от 5000 шт.
Британия
На складе 295 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
286,05 ₽ от 5 шт.
Британия
На складе 76 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
430,66 ₽ от 1 шт.
Азия 2
В наличии до 1010 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 114,64 ₽ до 402,16 ₽
Китай
На складе 1010 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
169,66 ₽ от 40 шт.
139,99 ₽ от 95 шт.
135,78 ₽ от 145 шт.
131,58 ₽ от 195 шт.
127,25 ₽ от 255 шт.
114,64 ₽ от 335 шт.
Китай
На складе 865 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:49 17.02.2021
402,16 ₽ от 1 шт.
358,38 ₽ от 10 шт.
331,95 ₽ от 50 шт.
311,62 ₽ от 100 шт.

Технические характеристики Infineon IRF2204SPBF, атрибуты и параметры.

Текущий рейтинг:
170 A
Continuous Drain Current (Ids):
170 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF2204S
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
140 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
  • 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
  • Single N-Channel 40 V 3.6 mOhm 200 nC Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Динамический рейтинг dv / dt
  • Быстрое переключение
  • Полностью оценен от лавин
  • 175C рабочая температура
  • MOSFET, N, 40V, 170A, D2-PAK
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:170A
  • Напряжение источника стока Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on):3.6mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Alternate Case Style:D2-PAK
  • Current Id Max:170A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:3.6mohm
  • Package / Case:D2-PAK
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:850A
  • Тип завершения: SMD
  • Voltage Vds:40V
  • Voltage Vds Typ:40V
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:3.6V

Документы по Infineon IRF2204SPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 22.07.2010)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)