Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF2804STRLPBF

Single N-Channel 40 V 2 mOhm 160nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Цена от 117,95 ₽ до 1 048,79 ₽

Наличие Infineon IRF2804STRLPBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена

Технические характеристики Infineon IRF2804STRLPBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
40.0 V (min)
Текущий рейтинг:
75.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
75.0 A, 270 A, 160 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Roll, Reel
Part Family:
IRF2804S
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
330 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
120 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
  • Single N-Channel 40 V 2 mOhm 160nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
  • 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
  • Trans MOSFET N-CH Si 40V 280A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Быстрое переключение
  • 175C рабочая температура
  • MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 40V,RDS(ON) 1.5 Milliohms,ID 75A,D2Pak,PD 330W,VGS+/-20V
  • Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET(R) Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175oC junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Документы по Infineon IRF2804STRLPBF, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon IRF2804STRLPBF, сравнение характеристик.