Наличие Infineon IRF3710ZPBF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 4275 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 58,92 ₽ до 982,99 ₽
На складе 660 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 08:13 12.02.2021
На складе 4275 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:26 12.02.2021
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 30 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 11:13 12.02.2021
На складе 164 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 02:25 12.02.2021
На складе 1369 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:25 11.02.2021
В наличии до 16873 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 29,17 ₽ до 602,63 ₽
На складе 373 шт.
Обновлено 18:06 11.02.2021
На складе 120 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:03 12.02.2021
На складе 16859 шт.
MOQ 23 шт.
Обновлено 17:50 11.02.2021
На складе 278 шт.
Обновлено 10:05 12.02.2021
На складе 16873 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:13 11.02.2021
На складе 120 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 12.02.2021
На складе 1645 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:43 10.02.2021
Упаковка Tube На складе 879 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 11.02.2021
Упаковка Tube На складе 12200 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 810 шт.
MOQ 34 шт.
Обновлено 17:50 11.02.2021
На складе 50 шт.
Обновлено 11:13 12.02.2021
На складе 20 шт.
Обновлено 11:13 12.02.2021
На складе 182 шт.
Обновлено 03:32 08.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1800 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 46 шт.
Обновлено 16:15 11.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 2850 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 78,34 ₽ до 197,52 ₽
На складе 1152 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:46 11.02.2021
На складе 810 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:33 12.02.2021
Упаковка Tube На складе 993 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:36 11.02.2021
На складе 2850 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IRF3710ZPBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V (min)
Текущий рейтинг:
59.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
59.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Pending Obsolescence
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF3710Z
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
160 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
14.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
77.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
- МОП-транзистор, мощность
- N-Ch
- VDSS 100 В
- RDS(ON) 14Milliohms
- ID 59A
- TO-220AB
- PD 160W
- -55град.
- Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 59 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220AB
- Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
- 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
- Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
- MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 160 W
- Преимущества: соответствие требованиям RoHS
- Лучшее в отрасли качество
- Быстрое переключение
- 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC
- Полярность транзистора: n канал
- Напряжение источника стока Vds: 100 В
- Continuous Drain Current Id:59A
- На сопротивлении Rds (On): 0,018 Ом
- Монтаж транзистора: через отверстие
- Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
- Пороговое напряжение Vgs: 4 В
- Ассортимент продукции: - Соответствие Rohs: Да
- МОП-транзистор, N, TO-220
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:59A
- Напряжение источника стока Vds: 100 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 18 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
- Power Dissipation Pd:160W
- Тип корпуса транзистора: TO-220AB
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:170mJ
- Capacitance Ciss Typ:2900pF
- Current Id Max:59A
- Текущая температура: 25 ° C
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Расстояние между выводами: 2,54 мм
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V:18mohm
- Package / Case:TO-220AB
- Power Dissipation Pd:160W
- Power Dissipation Pd:160W
- Power Dissipation Ptot Max:160W
- Pulse Current Idm:240A
- Время обратного восстановления trr тип .: 50 нс
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Voltage Vds Typ:100V
- Максимальное напряжение Vgs: 4 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- Voltage Vgs th Max:4V
- Voltage Vgs th Min:2V
Документы по Infineon IRF3710ZPBF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Infineon IRF3710ZPBF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 64.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 64.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFZ48N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 94.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 78.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V (min).
Текущий рейтинг 59.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 59.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Roll, Reel.
Part Family IRF3710ZS.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 160 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 77.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Gate Charge 106 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 75.0 A.
Входная емкость 3.79 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
Время нарастания 117 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 150 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Текущий рейтинг 55.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 220 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 95.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 61.0 A.
Gate Charge 41.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 61.0 A.
Входная емкость 2.88 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 150 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 85.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 55.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 55.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 95.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Gate Charge 106 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 75.0 mA.
Входная емкость 3.79 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
Время нарастания 117 ns (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -15.0 V to 15.0 V.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -65.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 110 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Continuous Drain Current (Ids) 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 110 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.