Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF3710ZSTRLPBF

Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Цена от 60,26 ₽ до 1 038,77 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRF3710ZSTRLPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 1255 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 74,29 ₽ до 1 038,77 ₽
Германия
На складе 1190 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 08:05 11.02.2021
123,44 ₽ от 10 шт.
92,61 ₽ от 50 шт.
77,16 ₽ от 200 шт.
74,29 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 430 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 01:31 09.02.2021
248,86 ₽ от 10 шт.
186,07 ₽ от 100 шт.
Британия
На складе 1255 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:51 10.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
1 038,77 ₽ от 1 шт.
773,85 ₽ от 10 шт.
605,13 ₽ от 100 шт.
443,39 ₽ от 500 шт.
435,03 ₽ от 1000 шт.
426,66 ₽ от 5000 шт.
Германия
На складе 398 шт.
Обновлено 08:28 08.02.2021
Цена по запросу.
Америка 13
В наличии до 4289 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 60,26 ₽ до 719,71 ₽
США
На складе 3873 шт.
Обновлено 11:20 11.02.2021
172,18 ₽ от 1 шт.
143,48 ₽ от 4 шт.
103,31 ₽ от 13 шт.
80,35 ₽ от 57 шт.
71,74 ₽ от 287 шт.
63,13 ₽ от 1281 шт.
60,26 ₽ от 2728 шт.
США
На складе 52 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:07 11.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
68,53 ₽ от 1 шт.
68,53 ₽ от 10 шт.
68,53 ₽ от 25 шт.
68,53 ₽ от 50 шт.
68,53 ₽ от 100 шт.
68,53 ₽ от 250 шт.
68,53 ₽ от 500 шт.
США
На складе 169 шт.
Обновлено 10:10 11.02.2021
77,26 ₽ от 1 шт.
75,71 ₽ от 25 шт.
74,16 ₽ от 100 шт.
72,63 ₽ от 500 шт.
71,08 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 670 шт.
Обновлено 11:20 11.02.2021
154,96 ₽ от 1 шт.
142,57 ₽ от 5 шт.
123,97 ₽ от 21 шт.
92,98 ₽ от 70 шт.
83,68 ₽ от 186 шт.
77,48 ₽ от 413 шт.
США
На складе 615 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:43 10.02.2021
Упаковка Tape & Reel
162,25 ₽ от 1 шт.
137,96 ₽ от 10 шт.
137,96 ₽ от 50 шт.
107,61 ₽ от 100 шт.
78,92 ₽ от 1000 шт.
78,92 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 4000 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 14:29 10.02.2021
Упаковка Tape & Reel
100,87 ₽ от 800 шт.
85,58 ₽ от 1600 шт.
США
На складе 845 шт.
MOQ 14 шт.
Обновлено 17:50 11.02.2021
153,39 ₽ от 14 шт.
146,35 ₽ от 50 шт.
104,99 ₽ от 100 шт.
102,87 ₽ от 200 шт.
США
На складе 813 шт.
Обновлено 10:10 11.02.2021
112,80 ₽ от 1 шт.
110,54 ₽ от 25 шт.
108,29 ₽ от 100 шт.
106,03 ₽ от 500 шт.
103,77 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 4289 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:29 10.02.2021
Упаковка Cut Tape
178,80 ₽ от 1 шт.
148,78 ₽ от 10 шт.
143,88 ₽ от 25 шт.
118,37 ₽ от 100 шт.
США
На складе 52 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:54 11.02.2021
212,36 ₽ от 1 шт.
182,51 ₽ от 10 шт.
172,18 ₽ от 25 шт.
159,55 ₽ от 50 шт.
148,07 ₽ от 100 шт.
140,04 ₽ от 250 шт.
132,00 ₽ от 500 шт.
США
На складе 128 шт.
Обновлено 11:20 11.02.2021
719,71 ₽ от 1 шт.
599,76 ₽ от 3 шт.
527,79 ₽ от 6 шт.
479,81 ₽ от 17 шт.
443,82 ₽ от 61 шт.
США
На складе 169 шт.
MOQ 501 шт.
Обновлено 02:54 11.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 864 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 845 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 94,73 ₽ до 193,20 ₽
Япония
На складе 845 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:20 11.02.2021
Упаковка Cut Tape
193,20 ₽ от 1 шт.
141,48 ₽ от 10 шт.
134,73 ₽ от 50 шт.
96,87 ₽ от 100 шт.
94,73 ₽ от 200 шт.
Сингапур
На складе 539 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:46 11.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
183,14 ₽ от 5 шт.
141,91 ₽ от 100 шт.
120,81 ₽ от 500 шт.
104,51 ₽ от 800 шт.
Израиль
На складе 800 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRF3710ZSTRLPBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V (min)
Текущий рейтинг:
59.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
59.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Roll, Reel
Part Family:
IRF3710ZS
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
160 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
14.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
77.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
  • Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
  • 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
  • Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Быстрое переключение
  • 175C рабочая температура
  • MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 160 W
  • MOSFET, 100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • Continuous Drain Current Id:59A
  • На сопротивлении Rds (On): 0,014 Ом
  • Transistor Mounting:surface Mount
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
  • Пороговое напряжение Vgs: 4 В
  • Ассортимент продукции: -Совместимость с RoS: Да

Документы по Infineon IRF3710ZSTRLPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(12 страниц, 23.07.2010)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)

Товары похожие на Infineon IRF3710ZSTRLPBF, сравнение характеристик.

Infineon IRFZ48NPBF
Цена от 37,40 ₽ до 1 281,66 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 64.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 64.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFZ48N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 94.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 78.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Infineon IRF3710ZPBF
Цена от 29,17 ₽ до 982,99 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V (min).
Текущий рейтинг 59.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 59.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pending Obsolescence.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF3710Z.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 160 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 77.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
ON Semiconductor HUF75645P3
Цена от 42,05 ₽ до 1 917,18 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Gate Charge 106 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 75.0 A.
Входная емкость 3.79 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
Время нарастания 117 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
ON Semiconductor RFP70N06
Цена от 68,03 ₽ до 1 254,88 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 150 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
STMicroelectronics STB55NF06LT4
Цена от 43,73 ₽ до 1 115,45 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Текущий рейтинг 55.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 220 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 95.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
ON Semiconductor FDP3652
Цена от 72,64 ₽ до 205,29 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 61.0 A.
Gate Charge 41.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 61.0 A.
Входная емкость 2.88 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 150 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 85.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
STMicroelectronics STP55NF06L
Цена от 33,46 ₽ до 1 122,42 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 55.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 55.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 95.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
ON Semiconductor HUF75645S3ST
Цена от 108,78 ₽ до 2 035,70 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Gate Charge 106 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 75.0 mA.
Входная емкость 3.79 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
Время нарастания 117 ns (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
STMicroelectronics STB60NF06LT4
Цена от 53,39 ₽ до 247,48 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -15.0 V to 15.0 V.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -65.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 110 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
STMicroelectronics STD60NF06T4
Цена от 45,91 ₽ до 1 157,28 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Continuous Drain Current (Ids) 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 110 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.