Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF5850TR

Mosfet 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP / Trans Mosfet P-ch Si 20V 2.2A 6-PIN TSOP T/r

Цена от 12,81 ₽ до 18,89 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRF5850TR на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 1
В наличии до 45000 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 12,81 ₽ до 18,89 ₽
Китай
На складе 45000 шт.
MOQ 345 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
18,89 ₽ от 345 шт.
15,52 ₽ от 835 шт.
15,13 ₽ от 1285 шт.
14,62 ₽ от 1770 шт.
14,23 ₽ от 2275 шт.
12,81 ₽ от 3035 шт.

Технические характеристики Infineon IRF5850TR, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Текущий рейтинг:
-2.20 A
Continuous Drain Current (Ids):
2.20 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Tape
Part Family:
IRF5850
Количество выводов:
6
Полярность:
Dual P-Channel
Рассеяние мощности:
960 mW (max)
Время нарастания:
14.0 ns
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
  • MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP / Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
  • -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package

Документы по Infineon IRF5850TR, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 13.01.2003)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)