Наличие Infineon IRF7341TRPBF на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики Infineon IRF7341TRPBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
55.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
4.70 A
Continuous Drain Current (Ids):
4.70 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Bulk
Part Family:
IRF7341
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
50.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
3.20 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
55.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
55.0 V
- IRF7341PBF Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор
- 4,7 А
- 55 В
- 8-контактный SOIC
- Двойной N-канал, 55 В, 0,065 Ом, 36 нКл, HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
- Массив транзисторных полевых МОП-транзисторов Dual N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
- Транзисторный MOSFET 2xN-Ch. 55В 4,7А SO8
- Полярность транзистора: n канал
- Напряжение источника стока Vds: 55 В
- Идентификатор постоянного тока утечки: 4,7 А
- На сопротивлении Rds (On): 0,043 Ом
- Transistor Mounting:surface Mount
- Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
- Пороговое напряжение Vgs: 1 В
- Ассортимент продукции: -Совместимость с RoS: Да
