Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF7862TRPBF

Single N-Channel 30 V 4.5 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Цена от 40,18 ₽ до 663,52 ₽

Наличие Infineon IRF7862TRPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 7
В наличии до 150750 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 40,18 ₽ до 113,30 ₽
США
На складе 150750 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
43,67 ₽ от 1 шт.
42,79 ₽ от 25 шт.
41,92 ₽ от 100 шт.
41,04 ₽ от 500 шт.
40,18 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 150750 шт.
MOQ 891 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
47,22 ₽ от 891 шт.
46,06 ₽ от 900 шт.
45,41 ₽ от 1800 шт.
44,12 ₽ от 4500 шт.
43,14 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 2836 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
113,30 ₽ от 1 шт.
92,64 ₽ от 10 шт.
90,91 ₽ от 25 шт.
72,05 ₽ от 100 шт.
61,07 ₽ от 500 шт.
49,75 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 701 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
107,44 ₽ от 1 шт.
95,65 ₽ от 10 шт.
90,80 ₽ от 25 шт.
79,48 ₽ от 50 шт.
68,04 ₽ от 100 шт.
США
На складе 750 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 5452 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 60984 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Европа 2
В наличии до 4540 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 128,29 ₽ до 663,52 ₽
Британия
На складе 4540 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
128,29 ₽ от 10 шт.
Британия
На складе 718 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
663,52 ₽ от 1 шт.
490,97 ₽ от 10 шт.
364,72 ₽ от 100 шт.
312,82 ₽ от 500 шт.
251,10 ₽ от 1000 шт.
245,49 ₽ от 5000 шт.
Азия 3
В наличии до 14800 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 60,22 ₽ до 122,75 ₽
Сингапур
На складе 701 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
122,75 ₽ от 5 шт.
116,96 ₽ от 25 шт.
87,18 ₽ от 100 шт.
73,94 ₽ от 500 шт.
60,22 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 3073 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
97,77 ₽ от 1 шт.
74,66 ₽ от 10 шт.
70,26 ₽ от 30 шт.
66,11 ₽ от 100 шт.
64,26 ₽ от 500 шт.
63,33 ₽ от 1000 шт.
Гонконг
На складе 14800 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRF7862TRPBF, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Continuous Drain Current (Ids):
21.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Roll, Reel
Part Family:
IRF7862
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • Single N-Channel 30 V 4.5 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
  • МОП-транзистор
  • N Ch.
  • 30В
  • 21A
  • 3.7 MOHM
  • 30 NC QG
  • SO-8
  • Без свинца
  • Mosfet IC
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • Continuous Drain Current, Id:21A
  • On Resistance, Rds(on):3.7mohm
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 20V
  • Упаковка / ящик: 8-SOIC
  • No. of Pins:8
  • Соответствует RoHS: Да

Документы по Infineon IRF7862TRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon IRF7862TRPBF, сравнение характеристик.