Наличие Infineon IRF9952TRPBF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 36000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 25,25 ₽ до 490,66 ₽
На складе 6950 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 08:05 20.02.2021
На складе 36000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 07:33 20.02.2021
На складе 26 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 07:48 15.02.2021
На складе 15440 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 16:27 20.02.2021
На складе 8834 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:32 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 190 шт.
Обновлено 14:03 18.02.2021
Цена по запросу.
На складе 350 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 73180 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 28,57 ₽ до 138,19 ₽
На складе 6152 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 14:11 20.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 128 шт.
Обновлено 11:23 19.02.2021
На складе 6181 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:11 20.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 610 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 137 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:02 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 84 шт.
Обновлено 11:23 19.02.2021
На складе 359 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
На складе 404 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 28000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 18:17 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 658 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 73180 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 48000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 16,17 ₽ до 98,18 ₽
На складе 6058 шт.
MOQ 270 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 4000 шт.
MOQ 130 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 7834 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:55 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 14800 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
На складе 48000 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IRF9952TRPBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-2.30 A
Continuous Drain Current (Ids):
2.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Bulk
Part Family:
IRF9952
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
14.0 ns
RoHS:
Compliant
Thermal Resistance:
62.5 K/W
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
- IRF9952PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor
- 2.3 A
- 3.5 A
- 30 В
- 8-контактный SOIC
- Mosfet Transistor, N And P Channel, 3.5 A, 30 V, 100 Mohm, 10 V, 1 V
- Dual N/P-Channel 30 V 0.1/0.15 Ohm 6.9/6.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
- 30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS