Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFB3207PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 3.6MILLIOHMS; Id 180A; TO-220AB; Pd 330W; -55DE

Цена от 99,77 ₽ до 1 641,25 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFB3207PBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 2550 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 171,14 ₽ до 1 641,25 ₽
Европейский союз
На складе 2550 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
176,75 ₽ от 50 шт.
171,14 ₽ от 100 шт.
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
333,58 ₽ от 1 шт.
299,19 ₽ от 3 шт.
264,80 ₽ от 10 шт.
230,41 ₽ от 50 шт.
Британия
На складе 372 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
1 641,25 ₽ от 1 шт.
1 220,42 ₽ от 10 шт.
1 157,29 ₽ от 100 шт.
1 094,17 ₽ от 500 шт.
1 031,04 ₽ от 1000 шт.
Германия
На складе 200 шт.
Обновлено 13:54 23.02.2021
Цена по запросу.
Америка 15
В наличии до 3900 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 99,77 ₽ до 710,46 ₽
США
На складе 550 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
99,77 ₽ от 500 шт.
США
На складе 392 шт.
Обновлено 19:07 23.02.2021
283,03 ₽ от 1 шт.
248,37 ₽ от 10 шт.
202,16 ₽ от 100 шт.
109,75 ₽ от 500 шт.
США
На складе 1176 шт.
MOQ 303 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
138,32 ₽ от 303 шт.
133,62 ₽ от 310 шт.
129,80 ₽ от 610 шт.
126,94 ₽ от 1600 шт.
122,17 ₽ от 3100 шт.
119,07 ₽ от 16000 шт.
115,96 ₽ от 31000 шт.
США
На складе 1176 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
128,47 ₽ от 1 шт.
125,91 ₽ от 25 шт.
123,34 ₽ от 100 шт.
120,77 ₽ от 500 шт.
118,20 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 664 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
130,78 ₽ от 43 шт.
США
На складе 138 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube
264,37 ₽ от 1 шт.
207,72 ₽ от 10 шт.
207,72 ₽ от 50 шт.
168,84 ₽ от 100 шт.
132,18 ₽ от 1000 шт.
132,18 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 380 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tube
297,69 ₽ от 1 шт.
247,37 ₽ от 10 шт.
239,26 ₽ от 25 шт.
196,85 ₽ от 100 шт.
166,57 ₽ от 500 шт.
141,33 ₽ от 1000 шт.
134,26 ₽ от 2500 шт.
133,07 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 665 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
220,94 ₽ от 1 шт.
198,11 ₽ от 10 шт.
147,64 ₽ от 100 шт.
136,94 ₽ от 500 шт.
Канада
На складе 3900 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:44 23.02.2021
Упаковка Tube
187,68 ₽ от 1 шт.
167,20 ₽ от 40 шт.
161,52 ₽ от 150 шт.
155,83 ₽ от 400 шт.
150,14 ₽ от 1500 шт.
США
На складе 701 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
233,35 ₽ от 50 шт.
216,03 ₽ от 100 шт.
203,32 ₽ от 250 шт.
191,77 ₽ от 500 шт.
США
На складе 3100 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
206,78 ₽ от 100 шт.
192,92 ₽ от 3100 шт.
США
На складе 5 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
710,46 ₽ от 1 шт.
473,64 ₽ от 3 шт.
США
На складе 701 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1502 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1925 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 6088 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 117,27 ₽ до 352,80 ₽
Китай
На складе 6088 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
173,73 ₽ от 40 шт.
143,32 ₽ от 90 шт.
138,98 ₽ от 140 шт.
134,64 ₽ от 190 шт.
130,30 ₽ от 250 шт.
117,27 ₽ от 330 шт.
Китай
На складе 2400 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 10:26 23.02.2021
143,48 ₽ от 1000 шт.
143,48 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 1985 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
253,54 ₽ от 1 шт.
192,99 ₽ от 10 шт.
181,90 ₽ от 30 шт.
170,58 ₽ от 100 шт.
165,73 ₽ от 500 шт.
163,18 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 96 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
352,80 ₽ от 1 шт.
298,67 ₽ от 10 шт.
233,91 ₽ от 100 шт.
205,88 ₽ от 500 шт.

Технические характеристики Infineon IRFB3207PBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
75.0 V (min)
Текущий рейтинг:
180 A
Continuous Drain Current (Ids):
180 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRFB3207
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
330 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
3.60 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
120 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • N-Ch
  • VDSS 75V
  • RDS(ON) 3.6Milliohms
  • ID 180A
  • TO-220AB
  • PD 330 Вт
  • -55de
  • TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,180A I(D),TO-220AB
  • Transistor MOSFET N-Channel 75V 170A 330W Through Hole TO-220AB
  • 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • Single N-Channel 75 V 4.5 mOhm 260 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Быстрое переключение
  • 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC
  • MOSFET, N, 75V, TO-220
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:180A
  • Drain Source Voltage Vds:75V
  • On Resistance Rds(on):3.6mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:180A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Расстояние между выводами: 2,54 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-220AB
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:720A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:75V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по Infineon IRFB3207PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(12 страниц, 18.08.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)

Товары похожие на Infineon IRFB3207PBF, сравнение характеристик.

STMicroelectronics STP200NF03
Цена от 104,62 ₽ до 196,53 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 120 A.
Continuous Drain Current (Ids) 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.60 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
STMicroelectronics STB200NF03T4
Цена от 137,25 ₽ до 152,31 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 120 A.
Continuous Drain Current (Ids) 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.60 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.