Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFB3207ZPBF

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Цена от 100,13 ₽ до 645,06 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFB3207ZPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 7
В наличии до 65080 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 110,62 ₽ до 645,06 ₽
Китай
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
110,62 ₽ от 1 шт.
Китай
На складе 2200 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 11:45 05.03.2021
110,96 ₽ от 500 шт.
110,96 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 39695 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
174,54 ₽ от 40 шт.
143,97 ₽ от 90 шт.
139,73 ₽ от 140 шт.
135,36 ₽ от 190 шт.
131,00 ₽ от 250 шт.
117,90 ₽ от 330 шт.
Япония
На складе 760 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
Упаковка Tube
125,61 ₽ от 1 шт.
125,43 ₽ от 10 шт.
125,07 ₽ от 50 шт.
124,90 ₽ от 100 шт.
124,18 ₽ от 200 шт.
Китай
На складе 1009 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
221,12 ₽ от 1 шт.
168,74 ₽ от 10 шт.
158,98 ₽ от 30 шт.
149,46 ₽ от 100 шт.
145,14 ₽ от 500 шт.
142,88 ₽ от 1000 шт.
Япония
На складе 65080 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
645,06 ₽ от 1 шт.
419,29 ₽ от 10 шт.
293,50 ₽ от 50 шт.
254,80 ₽ от 100 шт.
240,28 ₽ от 500 шт.
233,83 ₽ от 1000 шт.
222,54 ₽ от 2000 шт.
217,71 ₽ от 4000 шт.
Израиль
На складе 2200 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Америка 8
В наличии до 52064 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 100,13 ₽ до 641,12 ₽
США
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
100,13 ₽ от 1 шт.
США
На складе 321 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
121,57 ₽ от 1 шт.
119,14 ₽ от 25 шт.
116,71 ₽ от 100 шт.
114,28 ₽ от 500 шт.
111,85 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 450 шт.
MOQ 322 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
131,46 ₽ от 322 шт.
128,25 ₽ от 330 шт.
126,44 ₽ от 650 шт.
122,83 ₽ от 1700 шт.
120,12 ₽ от 3300 шт.
США
На складе 482 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
255,74 ₽ от 1 шт.
217,77 ₽ от 10 шт.
217,77 ₽ от 50 шт.
169,75 ₽ от 100 шт.
125,08 ₽ от 1000 шт.
125,08 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1896 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
281,43 ₽ от 1 шт.
234,08 ₽ от 10 шт.
226,39 ₽ от 25 шт.
186,28 ₽ от 100 шт.
157,62 ₽ от 500 шт.
133,73 ₽ от 1000 шт.
127,05 ₽ от 2500 шт.
125,92 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 760 шт.
MOQ 21 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
137,26 ₽ от 21 шт.
137,12 ₽ от 50 шт.
136,98 ₽ от 100 шт.
135,84 ₽ от 200 шт.
США
На складе 52064 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
641,12 ₽ от 1 шт.
534,27 ₽ от 3 шт.
470,15 ₽ от 6 шт.
427,41 ₽ от 20 шт.
395,36 ₽ от 69 шт.
352,62 ₽ от 295 шт.
320,56 ₽ от 660 шт.
США
На складе 1194 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Европа 4
В наличии до 170 шт.
MOQ от 2 шт.
Цена от 152,52 ₽ до 350,78 ₽
Германия
На складе 50 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
253,74 ₽ от 10 шт.
189,96 ₽ от 50 шт.
158,07 ₽ от 200 шт.
152,52 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 76 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
285,75 ₽ от 10 шт.
Британия
На складе 14 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
350,78 ₽ от 2 шт.
285,75 ₽ от 10 шт.
Германия
На складе 170 шт.
Обновлено 10:59 24.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRFB3207ZPBF, атрибуты и параметры.

Текущий рейтинг:
170 A
Gate Charge:
170 nC
Continuous Drain Current (Ids):
170 A
Входная емкость:
6.92 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRFB3207Z
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
  • MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • MOSFET, N Ch., 75V, 170A, 4.1 MOHM, 120NC QG, TO-220AB, Pb-Free
  • Single N-Channel 75 V 4.1 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 300 W
  • Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC
  • Battery Operated Drive
  • MOSFET, N, 75V, TO-220AB
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:170A
  • Drain Source Voltage Vds:75V
  • On Resistance Rds(on):4.1mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Base Number:3207
  • Current Id Max:120A
  • N-channel Gate Charge:120nC
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт
  • Pulse Current Idm:670A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:75V
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:4V
  • Voltage Vgs th Min:2V

Документы по Infineon IRFB3207ZPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)