Наличие Infineon IRFB3306PBF на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики Infineon IRFB3306PBF, атрибуты и параметры.
Текущий рейтинг:
160 A
Gate Charge:
120 nC
Continuous Drain Current (Ids):
160 A
Входная емкость:
4.52 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRFB3306
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
230 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
- IRFB3306PBF N-channel MOSFET Transistor, 160 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
- Single N-Channel 60 V 4.2 mOhm 85 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
- 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
- MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 230 W
- Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC
- Battery Operated Drive
- Consumer Full-Bridge
- Full-Bridge
- Push-Pull
- MOSFET, N, 60V, TO-220AB
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:160A
- Напряжение источника стока Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on):4.2mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
- Power Dissipation Pd:230W
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
- Тип корпуса транзистора: TO-220AB
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Base Number:3306
- Current Id Max:120A
- N-channel Gate Charge:85nC
- Package / Case:TO-220AB
- Power Dissipation Pd:230W
- Power Dissipation Pd:230mW
- Pulse Current Idm:620A
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Voltage Vds Typ:60V
- Максимальное напряжение Vgs: 20 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- Voltage Vgs th Max:4V
- Voltage Vgs th Min:2V
