Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFB3306PBF

IRFB3306PBF N-channel MOSFET Transistor, 160 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB

Цена от 72,34 ₽ до 1 135,91 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFB3306PBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 1039 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 187,09 ₽ до 1 135,91 ₽
Британия
На складе 204 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
187,09 ₽ от 26 шт.
Британия
На складе 274 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
227,03 ₽ от 2 шт.
187,09 ₽ от 26 шт.
Европейский союз
На складе 281 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:05 16.02.2021
335,89 ₽ от 1 шт.
330,32 ₽ от 3 шт.
321,96 ₽ от 10 шт.
305,23 ₽ от 25 шт.
263,42 ₽ от 100 шт.
218,82 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 1039 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
1 135,91 ₽ от 1 шт.
850,19 ₽ от 10 шт.
663,43 ₽ от 100 шт.
557,50 ₽ от 500 шт.
482,24 ₽ от 1000 шт.
472,48 ₽ от 5000 шт.
Азия 6
В наличии до 101818 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 72,34 ₽ до 286,53 ₽
Китай
На складе 1600 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 12:14 16.02.2021
76,15 ₽ от 1000 шт.
72,34 ₽ от 2000 шт.
72,34 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 101818 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
113,08 ₽ от 60 шт.
93,28 ₽ от 140 шт.
90,49 ₽ от 215 шт.
87,70 ₽ от 290 шт.
84,78 ₽ от 375 шт.
76,40 ₽ от 500 шт.
Китай
На складе 3039 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:26 16.02.2021
147,13 ₽ от 1 шт.
113,45 ₽ от 10 шт.
107,26 ₽ от 30 шт.
101,07 ₽ от 100 шт.
98,33 ₽ от 500 шт.
97,17 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 1594 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
228,02 ₽ от 1 шт.
194,49 ₽ от 10 шт.
152,33 ₽ от 100 шт.
127,42 ₽ от 500 шт.
110,18 ₽ от 1000 шт.
Япония
На складе 959 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:24 16.02.2021
Упаковка Tube
111,26 ₽ от 1 шт.
Япония
На складе 283 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 12:21 16.02.2021
286,53 ₽ от 5 шт.
250,96 ₽ от 25 шт.
208,51 ₽ от 100 шт.
Америка 8
В наличии до 60984 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 77,49 ₽ до 212,34 ₽
США
На складе 3100 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
77,49 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2656 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
189,83 ₽ от 1 шт.
157,38 ₽ от 10 шт.
152,26 ₽ от 25 шт.
125,27 ₽ от 100 шт.
106,00 ₽ от 500 шт.
89,94 ₽ от 1000 шт.
85,45 ₽ от 2500 шт.
84,69 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 998 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
212,34 ₽ от 1 шт.
182,50 ₽ от 10 шт.
149,21 ₽ от 100 шт.
130,85 ₽ от 500 шт.
112,14 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 959 шт.
MOQ 24 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
120,73 ₽ от 24 шт.
США
На складе 658 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 550 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 963 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 60984 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRFB3306PBF, атрибуты и параметры.

Текущий рейтинг:
160 A
Gate Charge:
120 nC
Continuous Drain Current (Ids):
160 A
Входная емкость:
4.52 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRFB3306
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
230 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
  • IRFB3306PBF N-channel MOSFET Transistor, 160 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB
  • MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • Single N-Channel 60 V 4.2 mOhm 85 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 230 W
  • Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC
  • Battery Operated Drive
  • Consumer Full-Bridge
  • Full-Bridge
  • Push-Pull
  • MOSFET, N, 60V, TO-220AB
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:160A
  • Напряжение источника стока Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on):4.2mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Base Number:3306
  • Current Id Max:120A
  • N-channel Gate Charge:85nC
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Power Dissipation Pd:230mW
  • Pulse Current Idm:620A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:60V
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:4V
  • Voltage Vgs th Min:2V

Документы по Infineon IRFB3306PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(12 страниц, 30.04.2014)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)