Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFB3307ZPBF

MOSFET, N Ch., 75V, 120A, 5.8 MOHM, 79 NC QG, TO-220AB, Pb-Free

Цена от 88,62 ₽ до 1 344,94 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFB3307ZPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 580 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 114,75 ₽ до 1 344,94 ₽
Германия
На складе 330 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
191,34 ₽ от 10 шт.
142,81 ₽ от 50 шт.
119,19 ₽ от 200 шт.
114,75 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 112 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
291,20 ₽ от 2 шт.
172,67 ₽ от 10 шт.
Британия
На складе 580 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
1 344,94 ₽ от 1 шт.
991,38 ₽ от 10 шт.
783,39 ₽ от 100 шт.
672,47 ₽ от 500 шт.
562,93 ₽ от 1000 шт.
551,84 ₽ от 5000 шт.
Швеция
На складе 6 шт.
Обновлено 07:54 05.03.2021
Цена по запросу.
Америка 7
В наличии до 6736 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 91,65 ₽ до 272,94 ₽
США
На складе 6736 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
99,62 ₽ от 1 шт.
97,63 ₽ от 25 шт.
95,63 ₽ от 100 шт.
93,65 ₽ от 500 шт.
91,65 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 271 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
174,68 ₽ от 10 шт.
135,79 ₽ от 100 шт.
114,49 ₽ от 500 шт.
97,72 ₽ от 1000 шт.
96,74 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 271 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
213,73 ₽ от 1 шт.
181,66 ₽ от 10 шт.
141,22 ₽ от 100 шт.
119,07 ₽ от 500 шт.
101,63 ₽ от 1000 шт.
100,60 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 185 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
237,87 ₽ от 1 шт.
197,11 ₽ от 10 шт.
190,66 ₽ от 25 шт.
156,87 ₽ от 100 шт.
132,74 ₽ от 500 шт.
112,63 ₽ от 1000 шт.
107,00 ₽ от 2500 шт.
106,04 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 551 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
272,94 ₽ от 1 шт.
232,29 ₽ от 10 шт.
181,19 ₽ от 100 шт.
154,47 ₽ от 500 шт.
132,41 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1000 шт.
MOQ 11 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
267,69 ₽ от 11 шт.
США
На складе 2310 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 7
В наличии до 14981 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 88,62 ₽ до 273,92 ₽
Китай
На складе 950 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 11:45 05.03.2021
93,75 ₽ от 1000 шт.
88,62 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 14981 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
138,19 ₽ от 50 шт.
114,05 ₽ от 115 шт.
110,58 ₽ от 175 шт.
107,11 ₽ от 240 шт.
103,64 ₽ от 310 шт.
93,37 ₽ от 415 шт.
Китай
На складе 203 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
97,06 ₽ от 1 шт.
94,35 ₽ от 10 шт.
94,35 ₽ от 30 шт.
94,35 ₽ от 100 шт.
94,35 ₽ от 500 шт.
94,35 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 271 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
235,06 ₽ от 1 шт.
203,37 ₽ от 10 шт.
159,89 ₽ от 100 шт.
131,20 ₽ от 500 шт.
112,28 ₽ от 1000 шт.
111,15 ₽ от 2500 шт.
Сингапур
На складе 631 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
273,92 ₽ от 1 шт.
233,69 ₽ от 10 шт.
182,93 ₽ от 100 шт.
155,16 ₽ от 500 шт.
133,13 ₽ от 1000 шт.
Япония
На складе 1000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
Упаковка Tube
244,60 ₽ от 1 шт.
Израиль
На складе 2400 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRFB3307ZPBF, атрибуты и параметры.

Текущий рейтинг:
120 A
Gate Charge:
110 nC
Continuous Drain Current (Ids):
120 A
Входная емкость:
4.75 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRFB3307Z
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
230 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
  • MOSFET, N Ch., 75V, 120A, 5.8 MOHM, 79 NC QG, TO-220AB, Pb-Free
  • Single N-Channel 75 V 5.8 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 230 W
  • Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC
  • Battery Operated Drive
  • MOSFET, N, 75V, TO-220AB
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds:75V
  • On Resistance Rds(on):5.8mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Base Number:3307
  • Current Id Max:120A
  • N-channel Gate Charge:79nC
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Power Dissipation Pd:230mW
  • Pulse Current Idm:480A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:75V
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:4V
  • Voltage Vgs th Min:2V

Документы по Infineon IRFB3307ZPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 19.08.2011)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)