Наличие Infineon IRFP250NPBF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 34500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 101,31 ₽ до 266,59 ₽
На складе 194 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 381 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 275 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tube На складе 2681 шт.
MOQ 22 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 180 шт.
Обновлено 19:07 23.02.2021
На складе 24 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 7 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
На складе 100 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 34500 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
Цена по запросу.
На складе 582 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 7 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 1530 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 235,71 ₽ до 313,68 ₽
На складе 291 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 250 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 1530 шт.
Обновлено 13:54 23.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 61185 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 77,41 ₽ до 237,83 ₽
На складе 61185 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 870 шт.
MOQ 45 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 2681 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:18 23.02.2021
Упаковка Tube На складе 4886 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 225 шт.
Обновлено 13:14 16.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IRFP250NPBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
200 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Текущий рейтинг:
30.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
30.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRFP250N
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
214 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
75.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
43.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
200 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
200 V
- МОП-транзистор, мощность
- N-Ch
- VDSS 200V
- RDS(ON) 0.075Ohm
- ID 30A
- К-247AC
- PD 214W
- ВГС +/- 20В
- Single N-Channel 200 V 0.075 Ohm 123 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
- 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
- Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
- Преимущества: соответствие требованиям RoHS
- Низкий RDS (вкл.)
- Лучшее в отрасли качество
- Динамический рейтинг dv / dt
- Быстрое переключение
- Полностью оценен от лавин
- 175C Operating Temperature | Target Applications: Consumer Full-Bridge
- Full-Bridge
- Push-Pull
- MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:30A
- Напряжение источника стока Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on):75mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
- Power Dissipation Pd:214W
- Transistor Case Style:TO-247AC
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:30A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.83°C/W
- Package / Case:TO-247AC
- Power Dissipation Pd:214W
- Power Dissipation Pd:214W
- Pulse Current Idm:120A
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Напряжение Vds Typ: 200 В
- Максимальное напряжение Vgs: 4 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- Voltage Vgs th Max:4V