Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFS3207ZPBF

Single N-Channel 75 V 4.1 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Цена 341,93 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFS3207ZPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 5
В наличии до 1600 шт.
MOQ от 100 шт.
США
На складе 100 шт.
Обновлено 22:02 01.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1600 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 80 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 18:11 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 770 шт.
Обновлено 20:17 04.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 200 шт.
Обновлено 18:59 05.02.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 4457 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена 341,93 ₽
Китай
На складе 4457 шт.
Обновлено 06:58 03.02.2021
341,93 ₽ от 1 шт.
Израиль
На складе 100 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRFS3207ZPBF, атрибуты и параметры.

Текущий рейтинг:
170 A
Gate Charge:
170 nC
Continuous Drain Current (Ids):
170 A
Входная емкость:
6.92 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRFS3207Z
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
  • Single N-Channel 75 V 4.1 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
  • 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
  • MOSFET, N Ch., 75V, 170A, 4.1 MOHM, 120NC QG, D2-PAK, Pb-Free
  • MOSFET, N, 75V, D2-PAK
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:170A
  • Drain Source Voltage Vds:75V
  • On Resistance Rds(on):3.3mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Base Number:3207
  • Current Id Max:170A
  • Package / Case:D2-PAK
  • Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт
  • Pulse Current Idm:670A
  • Тип завершения: SMD
  • Voltage Vds Typ:75V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:4V

Документы по Infineon IRFS3207ZPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 07.04.2008)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)