Наличие Infineon IRFSL3207ZPBF на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:29 08.02.2021
Упаковка Tube На складе 1400 шт.
Обновлено 09:57 09.02.2021
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:00 09.02.2021
На складе 2750 шт.
MOQ 250 шт.
Обновлено 02:49 09.02.2021
На складе 201 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Tube На складе 551 шт.
Обновлено 17:44 01.02.2021
Цена по запросу.
На складе 39 шт.
Обновлено 20:05 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1450 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 05:51 09.02.2021
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:24 09.02.2021
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:48 09.02.2021
На складе 1450 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IRFSL3207ZPBF, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
TO-262
Текущий рейтинг:
170 A
Gate Charge:
170 nC
Continuous Drain Current (Ids):
170 A
Входная емкость:
6.92 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
175 °C (max)
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRFSL3207Z
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 W (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
- МОП-транзистор, мощность
- N-Ch
- VDSS 75V
- RDS(ON) 3.3Milliohms
- ID 170A
- К-262
- PD 300W
- VF 1.3V
- Single N-Channel 75 V 4.1 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
- 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS