Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFSL3207ZPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 3.3MILLIOHMS; Id 170A; TO-262; Pd 300W; Vf 1.3V

Цена от 115,20 ₽ до 1 950,23 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFSL3207ZPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 7
В наличии до 2750 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 136,60 ₽ до 324,29 ₽
США
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:29 08.02.2021
Упаковка Tube
294,30 ₽ от 1 шт.
250,99 ₽ от 10 шт.
250,99 ₽ от 50 шт.
201,01 ₽ от 100 шт.
152,15 ₽ от 1000 шт.
136,60 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1400 шт.
Обновлено 09:57 09.02.2021
155,60 ₽ от 1 шт.
152,48 ₽ от 25 шт.
149,38 ₽ от 100 шт.
146,27 ₽ от 500 шт.
143,15 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:00 09.02.2021
306,08 ₽ от 1 шт.
257,57 ₽ от 10 шт.
207,90 ₽ от 100 шт.
184,80 ₽ от 500 шт.
158,24 ₽ от 1000 шт.
149,00 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 2750 шт.
MOQ 250 шт.
Обновлено 02:49 09.02.2021
168,26 ₽ от 250 шт.
164,14 ₽ от 260 шт.
161,83 ₽ от 510 шт.
157,21 ₽ от 1300 шт.
153,74 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 201 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Tube
324,29 ₽ от 1 шт.
271,98 ₽ от 10 шт.
256,77 ₽ от 25 шт.
220,07 ₽ от 100 шт.
195,62 ₽ от 500 шт.
167,50 ₽ от 1000 шт.
161,16 ₽ от 2500 шт.
Канада
На складе 551 шт.
Обновлено 17:44 01.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 39 шт.
Обновлено 20:05 05.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 1450 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 115,20 ₽ до 1 950,23 ₽
Германия
На складе 1450 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 05:51 09.02.2021
123,03 ₽ от 50 шт.
120,79 ₽ от 150 шт.
118,56 ₽ от 250 шт.
115,20 ₽ от 500 шт.
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
165,35 ₽ от 1 шт.
148,81 ₽ от 3 шт.
139,17 ₽ от 10 шт.
128,97 ₽ от 50 шт.
Британия
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:24 09.02.2021
1 950,23 ₽ от 1 шт.
1 474,91 ₽ от 10 шт.
1 181,32 ₽ от 100 шт.
1 048,51 ₽ от 500 шт.
894,73 ₽ от 1000 шт.
Азия 2
В наличии до 1450 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 183,69 ₽ до 396,23 ₽
Сингапур
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:48 09.02.2021
396,23 ₽ от 1 шт.
337,57 ₽ от 10 шт.
270,25 ₽ от 100 шт.
240,43 ₽ от 500 шт.
204,85 ₽ от 1000 шт.
201,96 ₽ от 2000 шт.
183,69 ₽ от 5000 шт.
Израиль
На складе 1450 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRFSL3207ZPBF, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-262
Текущий рейтинг:
170 A
Gate Charge:
170 nC
Continuous Drain Current (Ids):
170 A
Входная емкость:
6.92 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
175 °C (max)
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRFSL3207Z
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 W (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • N-Ch
  • VDSS 75V
  • RDS(ON) 3.3Milliohms
  • ID 170A
  • К-262
  • PD 300W
  • VF 1.3V
  • Single N-Channel 75 V 4.1 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
  • 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS

Документы по Infineon IRFSL3207ZPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)