Технические характеристики Infineon IRFU3710ZPBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Текущий рейтинг:
42.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
42.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Длина вывода:
9.65 mm
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRFU3710Z
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
140 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
43.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
- MOSFET, N Ch., Automotive, 100V, 56A, 18 MOHM, 69 NC QG, I-PAK, Pb-Free
- Преимущества: соответствие требованиям RoHS
- Лучшее в отрасли качество
- Быстрое переключение
- 175C рабочая температура
- 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, TO-251-3, RoHS
- МОП-транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Напряжение истока стока, Vds: 100V
- Continuous Drain Current, Id:42A
- On Resistance, Rds(on):18mohm
- Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
- Package/Case:I-PAK
- Соответствует RoHS: Да
- MOSFET, N, I-PAK
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:42A
- Напряжение источника стока Vds: 100 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 18 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность Pd: 140 Вт
- Transistor Case Style:I-PAK
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Alternate Case Style:TO-251
- Current Id Max:42A
- Текущая температура: 25 ° C
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Lead Length:9.65mm
- Lead Spacing:2.28mm
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case:IPAK
- Рассеиваемая мощность Pd: 140 Вт
- Рассеиваемая мощность Pd: 140 Вт
- Pulse Current Idm:220A
- SMD Marking:IRFU3710ZPBF
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Turn Off Time:53ns
- Turn On Time:14ns
- Voltage Vds Typ:100V
- Максимальное напряжение Vgs: 4 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
