Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IRG4PF50WPBF

Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Цена от 212,12 ₽ до 1 466,98 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRG4PF50WPBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Quest
На складе 1099 шт.
Обновлено 11:12 04.02.2021
530,30 ₽ от 1 шт.
353,53 ₽ от 3 шт.
265,15 ₽ от 9 шт.
229,80 ₽ от 90 шт.
212,12 ₽ от 257 шт.
Rochester Electronics
На складе 167 шт.
Обновлено 10:02 04.02.2021
421,94 ₽ от 1 шт.
413,50 ₽ от 25 шт.
405,07 ₽ от 100 шт.
396,63 ₽ от 500 шт.
388,19 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 651 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
705,71 ₽ от 2 шт.
602,58 ₽ от 10 шт.
500,38 ₽ от 100 шт.
481,58 ₽ от 250 шт.
452,00 ₽ от 500 шт.
413,47 ₽ от 1000 шт.
401,24 ₽ от 2500 шт.
Avnet
На складе 167 шт.
MOQ 94 шт.
Обновлено 03:53 04.02.2021
456,25 ₽ от 94 шт.
445,09 ₽ от 100 шт.
438,82 ₽ от 190 шт.
426,28 ₽ от 470 шт.
416,88 ₽ от 940 шт.
Arrow Electronics
На складе 651 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:14 04.02.2021
733,93 ₽ от 1 шт.
626,68 ₽ от 10 шт.
520,40 ₽ от 100 шт.
500,84 ₽ от 250 шт.
470,08 ₽ от 500 шт.
430,01 ₽ от 1000 шт.
417,29 ₽ от 2500 шт.
Digi-Key
На складе 45 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 04.02.2021
Упаковка Tube
718,40 ₽ от 1 шт.
615,74 ₽ от 10 шт.
573,45 ₽ от 25 шт.
Classic Components
На складе 19 шт.
Обновлено 19:05 01.02.2021
Цена по запросу.
Schukat
На складе 1575 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 08:15 04.02.2021
701,18 ₽ от 5 шт.
556,98 ₽ от 25 шт.
483,47 ₽ от 100 шт.
443,89 ₽ от 200 шт.
Rutronik
На складе 1000 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 05:54 04.02.2021
517,40 ₽ от 25 шт.
486,30 ₽ от 75 шт.
477,82 ₽ от 125 шт.
469,33 ₽ от 225 шт.
Distrelec
На складе 9 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:12 04.02.2021
867,99 ₽ от 1 шт.
764,79 ₽ от 5 шт.
655,94 ₽ от 25 шт.
582,43 ₽ от 100 шт.
525,88 ₽ от 250 шт.
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
767,11 ₽ от 1 шт.
689,93 ₽ от 3 шт.
589,37 ₽ от 10 шт.
529,73 ₽ от 50 шт.
RS Components
На складе 57 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 20:01 04.02.2021
1 088,50 ₽ от 1 шт.
Arrow.cn
На складе 656 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
808,91 ₽ от 1 шт.
690,98 ₽ от 10 шт.
573,69 ₽ от 100 шт.
552,00 ₽ от 250 шт.
518,10 ₽ от 500 шт.
473,94 ₽ от 1000 шт.
459,91 ₽ от 2500 шт.
LCSC
На складе 255 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.02.2021
590,84 ₽ от 1 шт.
517,61 ₽ от 10 шт.
504,18 ₽ от 30 шт.
490,76 ₽ от 100 шт.
484,63 ₽ от 500 шт.
477,33 ₽ от 1000 шт.
Win Source Electronics
На складе 240 шт.
MOQ 15 шт.
Обновлено 12:01 02.02.2021
770,25 ₽ от 15 шт.
632,00 ₽ от 35 шт.
592,51 ₽ от 55 шт.
533,22 ₽ от 75 шт.
533,22 ₽ от 95 шт.
533,22 ₽ от 125 шт.
Chip One Stop Global
На складе 9 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:34 04.02.2021
1 466,98 ₽ от 1 шт.
Robosynatics
На складе 300 шт.
Обновлено 15:59 12.01.2021
Цена по запросу.
GreenTree Electronics
На складе 2650 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRG4PF50WPBF, атрибуты и параметры.

Текущий рейтинг:
51.0 A
Входная емкость:
3.30 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRG4PF50W
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
26.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
900 V, 600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
  • 900V Warp 20-100 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
  • IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 900 V Collector-emitter saturation voltage: 2.25 V Current release time: 150 ns Power dissipation: 200 W
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Package/Case:TO-247AC
  • Power Dissipation, Pd:200W
  • Совместимость с ведущим процессом: Да
  • Совместимость с пиковым оплавлением (260 C): Да
  • Current Rating:51A
  • Тип монтажа: сквозное отверстие
  • Voltage Rating:900V
  • Соответствует RoHS: Да
  • IGBT, 900V, 51A, TO-247AC
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:51A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900V
  • Transistor Case Style:TO-247AC
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:51A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Device Marking:IRG4PF50WPbF
  • Fall Time Max:220ns
  • Fall Time tf:220ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247AC
  • Power Dissipation Max:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:204A
  • Rise Time:26ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:900V

Документы по Infineon IRG4PF50WPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 18.08.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)