Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IRGIB7B60KDPBF

IRGIB7B60 Series 600 V 8 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB

Цена от 101,26 ₽ до 295,65 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRGIB7B60KDPBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Rochester Electronics
На складе 1500 шт.
Обновлено 10:03 21.02.2021
110,06 ₽ от 1 шт.
107,86 ₽ от 25 шт.
105,66 ₽ от 100 шт.
103,46 ₽ от 500 шт.
101,26 ₽ от 1000 шт.
Avnet
На складе 1500 шт.
MOQ 353 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
119,01 ₽ от 353 шт.
116,10 ₽ от 360 шт.
114,47 ₽ от 710 шт.
111,20 ₽ от 1800 шт.
108,74 ₽ от 3600 шт.
Mouser
На складе 271 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tube
295,65 ₽ от 1 шт.
251,35 ₽ от 10 шт.
251,35 ₽ от 50 шт.
218,14 ₽ от 100 шт.
186,02 ₽ от 1000 шт.
186,02 ₽ от 10000 шт.

Технические характеристики Infineon IRGIB7B60KDPBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
12.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRGIB7B60KD
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
39.0 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
22.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • IRGIB7B60 Series 600 V 8 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
  • 600V Low-Vceon Copack IGBT in a TO-220 FullPak package
  • IGBT, 600V, 12A, TO-220FP
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:12A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.2V
  • Рассеиваемая мощность Pd: 39 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Тип корпуса транзистора: TO-220FP
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:12A
  • Fall Time Max:42ns
  • Fall Time tf:42ns
  • Упаковка / ящик: TO-220FP
  • Power Dissipation Max:39W
  • Рассеиваемая мощность Pd: 39 Вт
  • Рассеиваемая мощность Pd: 39 Вт
  • Pulsed Current Icm:24A
  • Rise Time:22ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по Infineon IRGIB7B60KDPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(13 страниц, 18.08.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)