Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IRGR3B60KD2PBF

600V Non Punch Through, Short Circuit Rated IGBT in a D-Pak package.

Цена от 55,78 ₽ до 169,96 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRGR3B60KD2PBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 3000 шт.
MOQ 625 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
66,54 ₽ от 625 шт.
64,28 ₽ от 630 шт.
62,44 ₽ от 1300 шт.
61,06 ₽ от 3200 шт.
58,77 ₽ от 6300 шт.
57,27 ₽ от 32000 шт.
55,78 ₽ от 63000 шт.
Rochester Electronics
На складе 2750 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
61,80 ₽ от 1 шт.
60,57 ₽ от 25 шт.
59,33 ₽ от 100 шт.
58,09 ₽ от 500 шт.
56,86 ₽ от 1000 шт.
Mouser
На складе 107 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
169,96 ₽ от 1 шт.
144,58 ₽ от 10 шт.
144,58 ₽ от 50 шт.
115,88 ₽ от 100 шт.
83,77 ₽ от 1000 шт.
83,77 ₽ от 10000 шт.

Технические характеристики Infineon IRGR3B60KD2PBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRGR3B60KD2
Количество выводов:
3
Рассеяние мощности:
52.0 W
RoHS:
Compliant
  • 600V Non Punch Through, Short Circuit Rated IGBT in a D-Pak package.
  • N-Channel 600 V 4.2 A IGBT with Ultrafast Soft Recovery Diode - DPAK
  • IGBT, 600V, 7.8A, D-PAK
  • Тип транзистора: IGBT
  • Полярность транзистора: N
  • Напряжение, В: 600 В
  • Current, Ic Continuous a Max:7.8A
  • Voltage, Vce Sat Max:2.4V
  • Power Dissipation:52W
  • Case Style:D-PAK
  • Тип завершения: SMD
  • Current, Icm Pulsed:15.6A
  • Power, Pd:52W
  • Time, Fall:80ns
  • Time, Fall Max:80ns
  • Time, Rise:15ns
  • Voltage, Vceo:600V

Документы по Infineon IRGR3B60KD2PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(14 страниц, 18.08.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)