Наличие Infineon IRL3713PBF на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 85 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 18:38 13.02.2021
На складе 48 шт.
Обновлено 09:57 13.02.2021
На складе 44 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:44 12.02.2021
Упаковка Tube На складе 48 шт.
Обновлено 11:12 13.02.2021
На складе 450 шт.
MOQ 13 шт.
Обновлено 17:50 13.02.2021
На складе 46 шт.
Обновлено 18:41 12.02.2021
Цена по запросу.
На складе 8131 шт.
Обновлено 18:56 12.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2350 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 15:46 12.02.2021
На складе 8902 шт.
MOQ 35 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 33 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:37 13.02.2021
На складе 450 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:32 13.02.2021
Упаковка Tube На складе 4173 шт.
Обновлено 16:13 06.02.2021
На складе 2350 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IRL3713PBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Текущий рейтинг:
250 A
Continuous Drain Current (Ids):
260 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRL3713
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
3.00 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
160 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- МОП-транзистор, мощность
- N-Ch
- VDSS 30В
- RDS(ON) 2.6Milliohms
- ID 260A
- TO-220AB
- PD 330 Вт
- -55de
- 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
- Single N-Channel 30 V 4 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
- Преимущества: соответствие требованиям RoHS
- Лучшее в отрасли качество
- Полностью оценен от лавин
- Логический уровень
- Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
- MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:200A
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on):3mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 2,5 В
- Power Dissipation Pd:200W
- Тип корпуса транзистора: TO-220AB
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:260A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:3mohm
- Package / Case:TO-220AB
- Power Dissipation Pd:200W
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:1040A
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Напряжение Vds Typ: 30 В
- Максимальное напряжение Vgs: 2,5 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- Voltage Vgs th Max:2.5V
