Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRL3713PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 2.6MILLIOHMS; Id 260A; TO-220AB; Pd 330W; -55DE

Цена от 105,19 ₽ до 300,84 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRL3713PBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 1
В наличии до 85 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 169,22 ₽ до 243,65 ₽
Британия
На складе 85 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 18:38 13.02.2021
243,65 ₽ от 25 шт.
195,14 ₽ от 50 шт.
181,62 ₽ от 125 шт.
169,22 ₽ от 250 шт.
Америка 6
В наличии до 8131 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 105,19 ₽ до 300,84 ₽
США
На складе 48 шт.
Обновлено 09:57 13.02.2021
114,34 ₽ от 1 шт.
112,05 ₽ от 25 шт.
109,76 ₽ от 100 шт.
107,48 ₽ от 500 шт.
105,19 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 44 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:44 12.02.2021
Упаковка Tube
241,42 ₽ от 1 шт.
204,71 ₽ от 10 шт.
204,71 ₽ от 50 шт.
160,21 ₽ от 100 шт.
113,48 ₽ от 1000 шт.
112,37 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 48 шт.
Обновлено 11:12 13.02.2021
300,84 ₽ от 1 шт.
225,63 ₽ от 3 шт.
188,02 ₽ от 14 шт.
165,46 ₽ от 47 шт.
США
На складе 450 шт.
MOQ 13 шт.
Обновлено 17:50 13.02.2021
202,85 ₽ от 13 шт.
192,92 ₽ от 50 шт.
190,08 ₽ от 100 шт.
США
На складе 46 шт.
Обновлено 18:41 12.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 8131 шт.
Обновлено 18:56 12.02.2021
Цена по запросу.
Азия 6
В наличии до 8902 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 132,65 ₽ до 272,52 ₽
Китай
На складе 2350 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 15:46 12.02.2021
132,65 ₽ от 1000 шт.
132,65 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 8902 шт.
MOQ 35 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
197,93 ₽ от 35 шт.
163,38 ₽ от 80 шт.
158,39 ₽ от 125 шт.
153,40 ₽ от 170 шт.
148,54 ₽ от 220 шт.
133,70 ₽ от 290 шт.
Китай
На складе 33 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:37 13.02.2021
238,76 ₽ от 1 шт.
181,20 ₽ от 10 шт.
170,62 ₽ от 30 шт.
160,02 ₽ от 100 шт.
155,19 ₽ от 500 шт.
152,88 ₽ от 1000 шт.
Япония
На складе 450 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:32 13.02.2021
Упаковка Tube
204,39 ₽ от 1 шт.
190,06 ₽ от 10 шт.
180,75 ₽ от 50 шт.
178,06 ₽ от 100 шт.
Китай
На складе 4173 шт.
Обновлено 16:13 06.02.2021
272,52 ₽ от 1 шт.
Израиль
На складе 2350 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRL3713PBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Текущий рейтинг:
250 A
Continuous Drain Current (Ids):
260 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRL3713
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
3.00 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
160 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • N-Ch
  • VDSS 30В
  • RDS(ON) 2.6Milliohms
  • ID 260A
  • TO-220AB
  • PD 330 Вт
  • -55de
  • 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • Single N-Channel 30 V 4 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Полностью оценен от лавин
  • Логический уровень
  • Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • MOSFET, N, 30V, 200A, TO-220
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:200A
  • Напряжение источника стока Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on):3mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 2,5 В
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:260A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:3mohm
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulse Current Idm:1040A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Напряжение Vds Typ: 30 В
  • Максимальное напряжение Vgs: 2,5 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:2.5V

Документы по Infineon IRL3713PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(12 страниц, 26.06.2013)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)