Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRLML6401TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -12V; Rds(on) 0.05 Ohm; Id -4.3A; MICRO3; Pd 1.3W; Vgs +/-8V

Цена от 5,97 ₽ до 255,48 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRLML6401TRPBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена

Технические характеристики Infineon IRLML6401TRPBF, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
-4.30 A
Continuous Drain Current (Ids):
-4.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Part Family:
IRLML6401
Количество выводов:
3
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.30 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
32.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-12.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-12.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • P-Ch
  • VDSS -12V
  • RDS(ON) 0.05Ohm
  • ID -4.3A
  • Micro3
  • PD 1.3W
  • VGS +/-8V
  • -12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Быстрое переключение
  • Низкопрофильный (менее 1,1 мм)
  • P-канальный МОП-транзистор
  • SOT-23 Footprint | Target Applications: DC Switches
  • Load Switch
  • MOSFET, P REEL 3K
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: P
  • Voltage, Vds Typ:-12V
  • Ток, Id Cont: 4.3A
  • Resistance, Rds On:0.05ohm
  • Напряжение, Vgs Rds при измерении: -4,5В
  • Voltage, Vgs th Typ:-0.55V
  • Стиль корпуса: СОТ-23
  • Тип завершения: SMD
  • Current, Idm Pulse:34A
  • Power Dissipation:1.3W
  • Power, Pd:1.3W
  • Quantity, Reel:3000
  • Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.05ohm
  • Thermal Resistance, Junction to Case A:100°C/W
  • Voltage, Vds Max:12V
  • Voltage, Vgs th Min:-0.4V
  • Width, Tape:8mm
  • MOSFET, P, MICRO3
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current Id:-4.3A
  • Напряжение стока Vds: -12V
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 50 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ:-550mV
  • Power Dissipation Pd:1.3W
  • Transistor Case Style:µSOIC
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:-4.3A
  • Package / Case:Micro3
  • Power Dissipation Pd:1.3W
  • Тип завершения: SMD
  • Voltage Vds Typ:-12V
  • Voltage Vgs Max:-550mV
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

Документы по Infineon IRLML6401TRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(, 08.11.2004)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(, 04.02.2014)

Товары похожие на Infineon IRLML6401TRPBF, сравнение характеристик.

Vishay SI2333DS-T1-E3
Цена от 31,08 ₽ до 406,26 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Continuous Drain Current (Ids) -4.10 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 32.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -12.0 V.
NXP Semiconductors BSH205,215
Цена от 18,87 ₽ до 34,48 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Continuous Drain Current (Ids) -750 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 417 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -12.0 V.